长城汽车股份有限公司试验中心

检测项：暖风电动机基本性能参数及耐久性 检测样品：汽车电器 标准：QC/T 29092-1992 汽车用暖风电动机技术条件

检测项：悬架固有频率和阻尼比 检测样品：汽车 标准：Q/CC SY065-2009 汽车悬挂系统的固有频率和阻尼比测定方法

检测项：悬架固有频率和阻尼比 检测样品：汽车 标准：Q/CC SY065-2009 汽车悬挂系统的固有频率和阻尼比测定方法

机构所在地：河北省保定市 更多相关信息>>

深圳市冠准科技有限公司

检测项：参考负载 检测样品：灯具总要求和试验 标准：《灯具总要求与试验》 GB 7000.1-2007 IEC 60598-1:2008 EN 60598-1:2008+A11

检测项：发射机频率错误和频率漂移 检测样品：无线设备 标准：《电磁兼容性和射频频谱问题（ERM）；短距离设备（SRD);使用在频率范围25MHz-1000MHz,功率在500mW以下的射频设备;第2部分：符合R&TTE准则3.2条的协调EN标准》 ETSI EN 300 220-2 V2.4.1

检测项：发射机工作频率容许范围 检测样品：无线设备 标准：《电磁兼容性和射频频谱问题(ERM)；短距离设备；在9k～25MHz频率范围内使用的射频设备和在9k～30MHz频率范围内使用的感应环流系统 第2部分:符合R&TTE准则3.2条的协调EN标准》 ETSI EN 300 330-2 V1.5.1

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

上海市计量测试技术研究院（华东国家计量测试中心/中国上海测试中心）

检测项：材料的晶体结构分析、物相定性、定量分析 检测样品：金属粉末和粉末冶金制品 标准：转靶多晶体X射线衍射方法通则 JY/T 009-1996

检测项：材料的晶体结构分析、物相定性、定量分析 检测样品：金属粉末和粉末冶金制品 标准：转靶多晶体X射线衍射方法通则 JY/T 009-1996

检测项：*电力系统频率偏差 检测样品：电子信息系统机房 标准：电能质量 电力系统频率偏差 GB/T 15945-2008

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：漏极电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

广东省珠海市质量计量监督检测所

检测项：部分参数 检测样品：冰糖（多晶、单晶） 标准：QB/T 1174-2002 多晶体冰糖 QB/T 1173-2002单晶体冰糖

检测项：振动试验 检测样品：纺织品服装 标准：GB/T2423.10-2008 《电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fc: 振动(正弦)》

机构所在地：广东省珠海市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VFM: 正向峰值電壓 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：IR: 反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：外部目检 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管

检测项：粒子碰撞噪声检测 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管

检测项：粗检漏 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：共发射正向电流传输比 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：温度冲击(变化)试验 检测样品：电子产品 标准：电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化B/T2423.22-2002

检测项：温度冲击(变化)试验 检测样品：电子产品 标准：军用设备环境试验方法 温度冲击试验 GJB150.5-1986

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向击穿电压V(BR) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：稳压管工作电压Vz 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：稳压管动态电阻rz 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向漏电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

检测项：稳压管工作 电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

检测项：稳压管动态 电阻 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>