栅-源阈值电压VGS（th）检测实验

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅

简介

防散射滤线栅产品描述：通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前，以减少辐射到影像接收面上的散射辐射，从而改善X射线影像对比度的一种装置。

防散射滤线栅预期用途：配合X射线机使用，用于增加X射线影像的对比度。

防散射滤线栅品名举例：防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅

防散射滤线栅管理类别：Ⅱ

防散射滤线栅相关指导原则：
1、含儿科应用的医用诊断X射线设备注册审查指导原则
2、医用诊断X射线管组件注册技术审查指导原则

防散射滤线栅相关标准：
1 . GB 9706.1-2007 医用电气设备第1部分：安全通用要求
2 . GB 9706.11-1997 医用电气设备第2部分：医用诊断X射线源组件和X射线管组件安全专用要求
3 . GB 9706.12-1997 医用电气设备第1部分：安全通用要求并列标准：诊断X射线设备辐射防护通用要求
4 . GB/T 10151—2008 医用X射线设备高压电缆插头、插座技术条件
5 . YY/T 0291-2016 医用X射线设备环境要求及试验方法
6 . YY/T 0609-2018 医用诊断X射线管组件通用技术条件

防散射滤线栅相关检测项目：
1 . 物理特性的测量与确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
2 . 测量方法和布置《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
3 . 物理特性《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
4 . 对防散射滤线栅的要求《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
5 . 制造误差《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
6 . 应用极限的确定《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
7 . 特性的准确度《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
8 . 标记与随附文件《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》
9 . 符合性声明《诊断X射线成像设备通用及乳腺摄影防散射滤线栅的特性： YY/T 0480-2021 IEC 60627:2013》

收起百科↑ 最近更新：2023年03月14日

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向栅源漏电流检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：反向栅源漏电流检测样品：二极管标准：《半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》GB/T4023-1997 《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T6571-1995

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中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：零栅压漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅源阈值电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅源阈值电压检测样品：二极管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：输入阈值电压和滞后电压检测样品：模拟集成电路标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

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检测项：输出高电平阈值电压检测样品：TTL电路标准：SJ/T10735-1996半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

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西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：栅-源阈值电压检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

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宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：栅源阈值电压检测样品：半导体集成电路TTL电路标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

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核工业北京化工冶金研究院分析测试中心

检测项：232Th 检测样品：水标准：水中钍的分析方法 GB/T 11224 -1989

检测项：232Th 检测样品：水标准：水中镭-226的分析测定 GB/T 11214 -1989

检测项：232Th 检测样品：水标准：水中放射性核素的γ能谱分析方法 GB/T 16140-1995

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核工业二0八大队分析测试中心

检测项：钍(Th) 检测样品：铀矿石标准：岩石中微量钍分析方法 EJ349.3-1988

检测项：钍（Th）检测样品：水质标准：水中钍的分析方法 GB11224-1989

检测项：钍（Th）检测样品：岩矿鉴定标准：水中钍的分析方法 GB11224-89

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浙江省辐射环境监测站（环境保护部辐射环境监测技术中心）

检测项：水中Th 检测样品：电离辐射标准：GB/T 11224-1989 水中钍的分析方法

检测项：气溶胶总α、β 检测样品：电离辐射标准：EJ/T 1075-1998 水中总α放射性浓度的测定厚源法

检测项：固体中总α、β 检测样品：电离辐射标准：EJ/T 1075-1998 水中总α放射性浓度的测定厚源法

机构所在地：浙江省杭州市更多相关信息>>

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四川省辐射环境管理监测中心站

检测项：水中Th 检测样品：其它电离辐射环境标准：水中钍的分析方法 GB 11224-1989

检测项：水中总β 检测样品：水标准：水中总α放射性浓度的测定厚源法 EJ/T 1075-1998

检测项：废水中总α 检测样品：水标准：水中总α放射性浓度的测定厚源法 EJ/T 1075-1998

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