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检测项:发射载波输出电平 检测样品:SRD短距离发射设备 标准:电磁兼容性和无线电频谱物质.短程装置(SRD).频率范围:9KHZ~25MHZ和频率范围的无线电设备和频率范围:9HZ~30MHZ的感应县全系统.第2部分:根据R&TTE指令3.2条款协调的欧洲标准 ETSI EN 300 330-2 V1.5.1 (20
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:2.10 电气间隙,爬电距离和绝缘穿透距离 检测样品:信息技术设备(单相) 标准:信息技术设备-安全-第1部分:一般要求 GB 4943.1-2011 IEC 60950-1: 2012 Ed. 2.1 IEC 60950-1: 2013 Ed. 2.2 EN 60950-1: 2006 EN 60950-1: 2006+A1:2010
机构所在地:江苏省昆山市 更多相关信息>>
检测项:有用接收机输入电平范围 检测样品:GSM 移动台 标准:不测振动条件下的射频参数 不测以下测试項: 12.2.1,12.2.2, 14.1.2.1, 14.1.2.2, 14.4.3, 14.6.2, 16.1, 18.1, 21.1, 21.2, 21.3.1, 21.3.2, 21.4.1, 22.1,
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:与通信网路的连接 (第6章) 检测样品:信息技术设备 标准:GB 4943.1-2011《信息技术设备、安全性:一般要求》 IEC 60950-1:2005+Am.1:2009 EN 60950-1:2006+A1:2010+A12:2011 UL 60950-1:2011
检测项:发射机载波输出电平 检测样品:无线通讯设备 标准:电磁兼容性和无线频谱(ERM):短距离设备(SRD)工作在9kHz到25kHZ频率范围内的无线设备和工作在9kHz到30MHz频率范围内的感应回路系统;第1部分:技术特性和测试方法 ETSI EN 300 330-1 V1.7.1 (2010-
机构所在地:江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项:射频场感应的传导骚扰抗扰度试验 检测样品:电能表 标准:① 电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB/T 17626.6-2008 ② 交流电测量设备 通用要求、试验和试验条件 第11部分: 测量设备 GB/T 17215.211-2006/IEC 62052-11:2003 ③ 多功能
检测项:射频场感应的传导骚扰抗扰度试验 检测样品:电力用户用电信息采集系统 标准:① 电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB/T 17626.6-2008 ② 电能信息采集与管理系统 第3-1部分:电能信息采集终端技术规范—通用要求 DL/T 698.31-2010 ③ 电力用户用电信息采集系统
检测项:射频场感应的传导骚扰抗扰度试验 检测样品:电能表 标准:① 电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度 GB/T 17626.6-2008 ② 交流电测量设备 通用要求、试验和试验条件 第11部分: 测量设备 GB/T 17215.211-2006/IEC 62052-11:2003 ③ 多功能电能
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:插头插座 标准:家用和类似用途插头插座 第二部分:转换器的特殊要求 GB 2099.3-2008
机构所在地:浙江省慈溪市 更多相关信息>>
检测项:爬电距离和电气间隙 检测样品:灯的控制装置:钨丝灯用直流/交流电子低电压转换器 标准:IEC 61347-2-2:2000+A1+A2 EN 61347-2-2:2001+A1+A2 IEC 61347-2-2:2011 EN 61347-2-2:2012 GB 19510.3-2009 《灯的控制装置:第2-2部分:钨丝灯用直流或交
检测项:螺钉、载流部件和连接件 检测样品:灯的控制装置:钨丝灯用直流/交流电子低电压转换器 标准:IEC 61347-2-2:2000+A1+A2 EN 61347-2-2:2001+A1+A2 IEC 61347-2-2:2011 EN 61347-2-2:2012 GB 19510.3-2009 《灯的控制装置:第2-2部分:钨丝灯用直流或交
检测项:耐热、防火及耐漏电起痕 检测样品:灯的控制装置:钨丝灯用直流/交流电子低电压转换器 标准:IEC 61347-2-2:2000+A1+A2 EN 61347-2-2:2001+A1+A2 IEC 61347-2-2:2011 EN 61347-2-2:2012 GB 19510.3-2009 《灯的控制装置:第2-2部分:钨丝灯用直流或交
机构所在地:广东省东莞市 更多相关信息>>
检测项:输入高电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出低电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:信息技术设备 (安全) 标准:信息技术设备的安全 GB 4943.1-2011 IEC 60950-1:2001 IEC 60950-1:2005 +A1:2009 EN 60950-1:2006 +A11:2009 +A1:2010+A12:2011 UL60950-1:2003
检测项:部分项目 检测样品:信息技术设备 (安全) 标准:信息技术设备的安全 GB 4943.1-2011 IEC 60950-1:2001 IEC 60950-1:2005 +A1:2009 EN 60950-1:2006 +A11:2009 +A1:2010+A12:2011 UL60950-1:2003 U
检测项:2.10电气间隙、爬电距离和绝缘穿透距离 检测样品:信息技术设备 (安全) 标准:信息技术设备的安全 GB 4943.1-2011 IEC 60950-1:2001 UL60950-1:2003 UL60950-1:2007 AS/NZS 60950.1:2003 CAN/CSA-C22.2 No.60950-1:2003 CAN/CS