贵州航天计量测试技术研究所

检测项：导通态漏电流IDS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：截止态源极漏电流IS 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：导通态漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：通态电压 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：通态电压（VT） 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：漏－源通态电阻rDS(ON) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：导通态漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：截止态馈通频率 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：导通态串扰衰减 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：漏-源通态电阻RDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：漏-源通态电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：运算(电压)放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

检测项：输出低阻态时低电平电流 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：漏-源通态电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：导通态漏电流 IDS（on） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

检测项：导通态漏电流 IDS（on） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

机构所在地：上海市 更多相关信息>>