整流二极管中正向直流电压的检测

检测项：正向直流电压 检测样品：整流二极管 标准：GB/T4023-2015/7.1.2 半导体器件 分立器件和集成电路第2部分：整流二极管

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

氧化铝陶瓷中抗热震性的检测

检测项：抗热震性 检测样品：氧化铝陶瓷 标准：GB/T14619-2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片

检测机构：国家材料分析检测中心 更多相关信息>>

数字集成电路中输入高电平电压VIH的检测

检测项：输入高电平电压VIH 检测样品：数字集成电路 标准：《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》 SJ/T10741-2000

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

半导体集成电路中内部目检的检测

检测项：内部目检 检测样品：半导体集成电路 标准：合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范GJB7400-2011

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：电源电流ICC 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

检测项：输出高电平电源电流ICCH 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

检测项：输出低电平电源电流ICCL 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输入电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：电源电流ICC 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

检测项：输出低电平电源电流ICCL 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

检测项：输入高电平电压VIH 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：温度循环 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：老炼试验 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：粒子碰撞噪声检测试验 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

上海华岭集成电路技术股份有限公司检测中心

检测项：启动过冲 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998

检测项：启动延迟 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998

检测项：开关频率 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：输入失调电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输入偏置电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：开环电压增益 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>