中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输入偏置电流 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

检测项：电源电流 检测样品：时基电路 标准：《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：输入偏置电流 检测样品：时基 电路 标准：半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条

检测项：输入偏置电流 检测样品：电压 比较器 标准：半导体集成电路 电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996 第4.1、4.3、4.5、4.7、4.8、4.9、4.11、4.13、4.14、4.15、4.16条

检测项：输入偏置电流 检测样品：电压 比较器 标准：半导体集成电路 电压比较器 测试方法的基本原理 GB/T6798-1996 第4.1、4.3、4.5、4.7、4.8、4.9、4.11、4.13、4.14、4.15、4.16条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：输入偏置电流（同相）Ib+ 检测样品：半导体集成电路 （运算放大器、电压比较器） 标准：1、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 2、GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第1部分 总则

检测项：输入偏置电流（反相）Ib- 检测样品：半导体集成电路 （运算放大器、电压比较器） 标准：1、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 2、GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第1部分 总则

检测项：输入偏置电流（同相）Ib+ 检测样品：半导体集成电路 （运算放大器、电压比较器） 标准：1、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 2、GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第1部分 总则

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：输入偏置电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

检测项：输入偏置电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

检测项：电源电流 检测样品：数模混合 集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：电感量随电流变化 检测样品：变压器 标准：电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

检测项：电感量随电流变化 检测样品：电感器 标准：电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：输入偏置电流（同相）IIb+ 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：输入偏置电流（反相）IIb- 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：输入偏置电流（同相）IIb+ 检测样品：半导体集成电路（电压比较器） 标准：1.SJ/T10805-2000半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

陕西千山航空电子有限责任公司检测中心

检测项：功能及部分电参数测试 检测样品：集成电路： (TTL、CMOS、A/D、D/A、存储器、接口、运放、比较器、集成稳压器、电压基准等) 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005中4.5节及产品手册要求

检测项：功能及部分电参数测试 检测样品：集成电路： (TTL、CMOS、A/D、D/A、存储器、接口、运放、比较器、集成稳压器、电压基准等) 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005中4.5节及产品手册要求

检测项：电容量、损耗及漏电流测试 检测样品：电容器 标准：电子及电气元件试验方法GJB360B-2009中方法108

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

上海机动车检测中心

检测项：汽车正面40%偏置碰撞 检测样品：汽车 标准：《乘用车正面偏置碰撞的乘员保护》GB/T 20913-2007

检测项：汽车正面40%偏置碰撞 检测样品：汽车 标准：《乘用车正面偏置碰撞的乘员保护》GB/T 20913-2007

检测项：汽车正面40%偏置碰撞 检测样品：汽车 标准：《正面偏置碰撞的乘员保护》ADR 73/00-2005

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

浙江吉利汽车研究院有限公司检测中心

检测项：汽车正面偏置碰撞 检测样品：汽车 标准：GB/T 20913-2007《乘用车正面偏置碰撞的乘员保护》

检测项：侧面碰撞试验 检测样品：汽车 标准：ADR73/00-2005《正面偏置碰撞的乘员保护》

机构所在地：浙江省杭州市 更多相关信息>>

爱斯佩克测试科技（上海）有限公司

检测项：稳态湿热偏置寿命试验 检测样品：电子器件 标准：稳态湿热偏置寿命试验 JESD22-A101C:2009

检测项：温度偏置工作寿命试验 检测样品：印刷电路板 标准：温度偏置工作寿命试验 JESD22-A108D:2010

检测项：温度湿度偏置循环寿命测试 检测样品：电子器件 标准：温度湿度偏置循环寿命测试 JESD22-A100C:2007

机构所在地：上海市 更多相关信息>>