芯片Test escape（测试逃逸）是指在测试阶段未能有效拦截存在缺陷的芯片，导致其流入市场并引发故障。

Test escape常见的失效原因

1、测试程序或配置错误

测试文件或机台参数设置错误（如BIN分类错误），导致不良品被误判为良品。例如，某案例中晶圆厂因测试文件变更时编辑错误，将BIN11（不良品）归入BIN1（良品）。

2、测试覆盖率不足

未覆盖关键功能或极端条件（如低温、高温、高压等），导致潜在缺陷未被触发；或未覆盖应用场景，导致参数漂移样品未被检出。

典型案例分析

故障背景收集：

风扇在整机生产测试测试中，在整机低温测试时多台风扇不工作，常温可恢复正常；进一步定位确认为风扇板上的霍尔芯片低温不工作。

霍尔芯片具体分析过程：

1）芯片原厂初始分析结论：芯片EOS失效，怀疑为ESD导致；并通过故障复现回复说可以复现一样的故障现象。

2）内部实验室分析：原厂分析的结果与整机故障表现不符，且内部实验室进行IV测试和开盖均未见明显的异常；同时，对单体进行bench测试，确认在低温时霍尔芯片参数会劣化；对霍尔芯片进行动态热点定位，未发现明显异常的热点。

综合上述的分析，推测失效根因——霍尔芯片test escape，参数临界的霍尔芯片未测试拦截逃逸出来到终端客户手上。

3）芯片原厂二次分析结论：故障芯片为test escape，根因为下发给晶圆厂的测试文件要求错误，导致某个不良的bin混入到良品。

根因确认：CP测试机台变更，下发变更单时编辑错误，BIN11的不良品被归到BIN1的良品中。

调查生产记录，从变更后BIN11数量为0，确认根因。