共发射极正向电流传输比静态值检测实验

羟值

简介

羟值(Hydroxylvalue) 1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式查看详情>>

羟值

简介

羟值(Hydroxylvalue)

1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。

羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式

检测项目

羟值

收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：电流传输比检测样品：晶体三极管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

检测项：电流传输比检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件

检测项：正向阈值电压下的输入电流检测样品：电压调整器标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：正向传输比检测样品：场效应管标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

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中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：固定电感器标准：电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：半导体三极管标准：半导体分立器件和集成电路第七部分：双极型晶体管GB/T 4587-1994

检测项：电流传输比检测样品：光耦合器标准：（2）半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

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中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

检测项：共摸抑制比KCMR 检测样品：晶体三极管标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》

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中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分光电子器件测试方法第5.1条第5.6.2条

检测项：共发射极正向电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管第Ⅳ章2.1条第Ⅳ章2.2条第Ⅳ章3条第Ⅳ章4.2条第Ⅳ

检测项：电流传输比检测样品：光电标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分光电子器件测试方法第5.1条第5.6.2条

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国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：共发射正向电流传输比检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极电流检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：正向电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

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上海精密计量测试研究所

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

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武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：场效应管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器标准：半导体分立器件和集成电路第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003

检测项：正向阈值电压下的输入电流检测样品：TTL电路标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

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中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

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