中国工程物理研究院计量测试中心

检测项：X射线检查 检测样品：塑封半导体集成电路 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

检测项：粒子碰撞噪声检测(PIND) 检测样品：塑封半导体集成电路 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

检测项：密封 检测样品：塑封半导体集成电路 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>

北京光华无线电厂检测试验中心

检测项：外部目检 检测样品：塑封半导体集成电路 标准：军用装备实验室环境试验方法 第23部分：倾斜和摇摆试验 GJB150.23A-2009

检测项：外部目检 检测样品：塑封半导体集成电路 标准：军用设备环境试验方法 倾斜和摇摆试验 GJB 150.23-1991

检测项：外部目检 检测样品：塑封半导体集成电路 标准：军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027-2006

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

杭州市质量技术监督检测院

检测项：部分参数 检测样品：半导体光电子器件 标准：《半导体器件 光电子器件分规范》GB/T12565-1990 《半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11400-2009 《半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11393-2009

检测项：部分参数 检测样品：半导体光电子器件 标准：《半导体器件 光电子器件分规范》GB/T12565-1990 《半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11400-2009 《半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11393-2009

机构所在地：浙江省杭州市 更多相关信息>>

惠州市蓝微电子有限公司实验室

检测项：-18℃放电性能 检测样品： 标准：

检测项：40℃放电性能 检测样品： 标准：

检测项：恒定湿热 检测样品： 标准：

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

天津三星电子有限公司规格认证中心

检测项：附录G 燃烧试验方法 检测样品： 标准：

检测项：爬电距离和电气间隙 检测样品： 标准：

检测项：耐久性试验 检测样品： 标准：

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

上海华碧检测技术有限公司

检测项： 检测样品：电子器件 标准：

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安西谷微电子有限责任公司元器件检测中心

检测项： 检测样品： 标准：

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

无锡华润华晶微电子有限公司计量检测中心

检测项：pH值 检测样品：化学试剂 标准：化学试剂pH值测定通则GB/T9724-2007

检测项：砷 检测样品：化学试剂 标准：化学试剂砷测定通用方法 GB/T610-2008

检测项：磷酸盐 检测样品：化学试剂 标准：化学试剂磷酸盐测定通用方法GB/T9727-2007

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

四川省银河化学股份有限公司分析测试中心

检测项：细 度 检测样品： 标准：微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定 GB/T 17473.2-2008

检测项：粘 度 检测样品： 标准：微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定 GB/T 17473.5-2008

机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>

天津市电子仪表实验所

检测项：部分参数 检测样品：熔断体 标准：半导体器件 光电子器件分规范 GB/T 12565-1990

机构所在地：天津市 更多相关信息>>