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检测项:CS115 电缆束注入脉冲激励传导敏感度 检测样品:军用设备和分系统 标准:军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-97 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A-97
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:冲击试验 检测样品:电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准:军用装备实验室环境试验方法 第18部分:冲击试验 GJB 150.18A-2009
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:电缆束注入脉冲激励传导敏感度(CS115) 检测样品:方舱\屏蔽室、屏蔽材料、器件 标准:电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法 GB/T12190-2006 军用电子设备方舱屏蔽效能测试方法 GJB6785-2009
机构所在地:山西省太原市 更多相关信息>>
检测项:部分参数 检测样品:商用多用途电平锅 标准:家用和类似用途电器的安全 商用多用途电平锅的特殊要求 GB4706.40-2008 IEC60335-2-39:2004
检测项:部分参数 检测样品:自动电话机 标准:自动电话机技术条件GB/T15279-2002
机构所在地:天津市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:商用电平锅 标准:家用和类似用途电器的安全商用多用途电平锅的特殊要求 GB4706.40-2008
机构所在地:山东省淄博市 更多相关信息>>
检测项:部分参数 检测样品:商用电平锅 标准:家用和类似用途电器的安全 商用多用途电平锅的特殊要求 GB 4706.40-2008
机构所在地:山东省济南市 更多相关信息>>
检测项:1dB压缩点输入功率电平、1dB压缩点输出功率电平 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
检测项:输出高电平VOH 检测样品:半导体集成电路 (数字集成电路) 标准:GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇
检测项:输出低电平VOL 检测样品:半导体集成电路 (数字集成电路) 标准:GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:寿命 检测样品:电磁继电器 标准:GJB65B-1999有可靠性指标的电磁继电器总规范4.8.19
检测项:寿命 检测样品:电磁继电器 标准:ZB T36 005-1987(调整为QC/T419-1999)喇叭继电器 技术条件5.9
检测项:寿命 检测样品:延时继电器 标准:GJB1429-1992热延时继电器总规范4.8.16
机构所在地:安徽省蚌埠市 更多相关信息>>
检测项:电缆束注入脉冲激励传导敏感度CS115 检测样品:军用设备和分系统 标准:军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 电磁干扰特性测量 MIL-STD-462D 电磁干扰发射和敏感度控制要求 MIL-STD-461D
检测项:最大允许输入电平 检测样品:移动通信直放站 标准:900/1800MHz TDMA数字蜂窝移动通信直放站技术要求和测试方法 YD/T1337-2005
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:CS115 电缆束注入脉冲激励传导敏感度 检测样品:军用设备和分系统 标准:军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB 151A-97 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB 152A-97 子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461E 子系统和设备的电磁干扰特性的控制要求 MIL-STD-461F
机构所在地:上海市 更多相关信息>>