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检测项：超声探伤仪电噪声电平 检测样品：无损检测器材 标准：无损检测仪器 电磁轭磁粉探伤仪技术条件JB/T 7411-2012
检测项：超声探伤仪电噪声电平 检测样品：无损检测器材 标准：无损检测 A型脉冲反射式超声波探伤系统工作性能测试方法JB/T 9214-2010 A型脉冲反射式超声波探伤仪通用技术条件JB/T 10061-1999
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：输出高电平电压 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：输入高电平电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3022
检测项：输出低电平电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G 方法3006.1
检测项：输入高电平电流 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3007.1
机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项：参考电平 检测样品：数字电影放映系统 标准：《数字电影流动放映系统技术要求和测量方法》GY/T 251-2011
检测项：发行母版声道参考电平 检测样品：数字电影放映系统 标准：《数字电影中档放映系统技术要求和测量方法》GY/T 256-2012
检测项：发行版声音参考电平 检测样品：数字电影放映系统 标准：《数字电影中档放映系统技术要求和测量方法》GY/T 256-2012
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：输入低电平电压VIL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项：热效率 检测样品：企业电平衡 标准：《评价企业合理用电技术导则》 GB/T 3485-199
检测项：能源利用率 检测样品：企业电平衡 标准：《评价企业合理用电技术导则》 GB/T 3485-199
检测项：用电量 检测样品：企业电平衡 标准：《评价企业合理用电技术导则》 GB/T 3485-199
机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>
检测项：蓝牙最大输入电平RCV/CA/06/C 检测样品：蓝牙设备 标准：蓝牙射频测试规范 RF.TS/4.0.2
检测项：蓝牙EDR最大输入电平RCV/CA/10/C 检测样品：蓝牙设备 标准：蓝牙低功耗射频测试规范 RF-PHY.TS/4.0.1
检测项：RCV-LE/CA/06/C (最大输入信号电平) 检测样品：蓝牙设备 标准：蓝牙低功耗射频测试规范 RF-PHY.TS/4.0.1
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：自动电平控制 检测样品：GSM直放站 标准：《 900/1800 MHzTDMA数字蜂窝移动通信网直放站技术要求和测试方法》 YD/T 1337-2005
检测项：自动电平控制 检测样品：CDMA直放站 标准：《800MHz CDMA数字蜂窝移动通信网直放站技术要求和测试方法》 YD/T 1241—2002
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：低电平负载切换寿命试验 检测样品：电子及电气元件 标准：《微电子器件试验方法》 GJB548B-2005
检测项：低电平 检测样品：塑封电磁继电器 标准：《塑封通用电磁继电器总规范》 GJB2449-1995
检测项：低电平 检测样品：混合和固体延时继电器 标准：《混合和固体延时继电器总规范》 GJB1513A-2009
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：电晕电平 检测样品：射频同轴连接器转接器 标准：GJB681A-2002 《射频同轴连接器通用规范》4.5.20条
检测项：电晕电平 检测样品：射频电缆组件 标准：GJB680A-2009 《射频同轴连接器总规范》4.5.21条GJB360B-2009 《 电子及电气元器件试验方法》
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
