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检测项：部分参数 检测样品：医用诊断X射线机 标准：医用电气设备 第2部分 诊断X射线发生装置的高压发生器安全专用要求GB 9706.3-2000
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：现场断口耐压试验 检测样品：高压试验 标准：《电气装置安装工程 电气设备交接试验标准》 GB 50150-2006
检测项：现场断口耐压试验 检测样品：高压试验 标准：电气装置安装工程 电气设备交接试验标准 GB 50150-2006
检测项：现场谐振耐压试验 检测样品：高压试验 标准：《气体绝缘金属封闭开关设备现场耐压及绝缘试验导则》 DL/T 555-2004 《电气装置安装工程 电气设备交接试验标准》 GB 50150-2006
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：牺牲阳极输出电流测量 检测样品：压力管道 (阴极保护系统) 标准：GB/T 21246-2007《埋地钢质管道阴极保护参数测量方法》第6条
检测项：管内电流测量 检测样品：压力管道 (阴极保护系统) 标准：GB/T 21246-2007《埋地钢质管道阴极保护参数测量方法》第7条
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：高度模拟 检测样品：锂电池 标准：联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
检测项：热测试 检测样品：锂电池 标准：联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
检测项：振动 检测样品：锂电池 标准：联合国《关于危险货物运输的建议书 试验和标准手册》ST/SG/AC.10/11/Rev.5
机构所在地：江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1
检测项：栅极漏电流 检测样品：小型开关电源 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3411.1
检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：恒定湿热试验 检测样品：太阳电池组件用绝缘背板 标准：《地面用晶体硅光伏组件——设计鉴定和定型》 IEC 61215-2005
机构所在地：江苏省常熟市 更多相关信息>>
检测项：输出电流限制 检测样品：移动电话用可充电电池 标准：IEEE关于移动电话用可充电电池标准 IEEE Std 1725-2011
检测项：电池过电流保护要求 检测样品：移动电话用可充电电池 标准：IEEE关于移动电话用可充电电池标准 IEEE Std 1725-2011
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：通信用室外光缆 标准：GB/T 7424.1-2003 光缆总规范 第1部分：总则
检测项：部分项目 检测样品：通信用室外光缆 标准：GB/T 7424.2-2008 光缆总规范 第2部分：光缆基本试验方法
检测项：部分项目 检测样品：沿电力线路敷设的光缆 标准：DL/T 832-2003 光纤复合架空地线
机构所在地：江苏省南通市 更多相关信息>>
检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：输出高电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项：低三态输出电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：充电器要求 检测样品：移动通信手持机充电器 标准：移动通信手持机充电器及接口技术要求和试验方法 YD/T1591-2009
机构所在地：福建省厦门市 更多相关信息>>
