惠州TCL照明电器有限公司检验中心

检测项：骚扰电压 检测样品： 标准：GB17743-2007电器照明和类似设备的无线电骚扰特性的限制和测量方法

检测项：骚扰电压 检测样品： 标准：GB17743-2007电器照明和类似设备的无线电骚扰特性的限制和测量方法

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

北京快尔环可实验技术有限公司

检测项：温度冲 击试验 检测样品：军工及民用电气、电子和机械类产品 标准：军用装备实验室环境试验方法 第5部分：温度冲击试验 GJB150.5A-2009

检测项：温度冲 击试验 检测样品：军工及民用电气、电子和机械类产品 标准：军用设备环境试验方法 湿热试验GJB150.9-1986

检测项：温度冲 击试验 检测样品：军工及民用电气、电子和机械类产品 标准：电工电子产品基本环境试验规程 Ca：恒定湿热试验方法GB/T2423.3-2006

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海仪器仪表自控系统检验测试所

检测项：电子负载 检测样品：机动车电子零部件产品(电磁兼容) 标准：机动车电子和电气设备环境条件和试验 第二部分：电子负载ISO 16750-2:2010 电子/电气系统 耐供电电压变化试验 7-Z0444:1999

检测项：电源瞬时过压抗扰度试验 检测样品：信息技术设备；家用电器；电信设备；声音和电视广播设备；工科医设备；照明灯具和其它电子设备 标准：工业自动化仪表通用试验方法 第5部分:电源快速瞬变单肪冲抗扰度试验JB/T 6239.5-2007

检测项：全部参数 检测样品：定位器 标准：工业过程控制系统用阀门定位器JB/T 7368-1994 工业过程控制系统用阀门定位器 第1部分：气动输出阀门定位器 性能评定方法GB/T 22137.1-2008 工业过程控制系统用阀门定位器 第2部分：气动输出智能阀门定位器 性能评定方法GB/T 2

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

天津出入境检验检疫局化矿金属材料检测中心

检测项：胶质层最大厚度Y值、最终收缩度X值、 检测样品：煤炭和焦炭 标准：烟煤胶质层指数测定方法 GB/T479-2000

检测项：r值 检测样品：金属材料及制品 标准：金属薄板和薄带塑性应变比（r值）的测定 GB/T 5027-2007

检测项：n值 检测样品：金属材料及制品 标准：金属薄板和薄带拉伸应变硬化指数（n值）试验方法 GB/T 5028-2008

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

联想移动通信科技有限公司实验室

检测项：充电器要求 检测样品：移动通信手持机充电器 标准：移动通信手持机充电器及接口技术要求和试验方法 YD/T1591-2009

检测项：输出短路保护 检测样品： 标准：

检测项：可能发生误操作时的安全要求 检测样品：移动通信手持机充电器 标准：移动通信手持机充电器及接口技术要求和试验方法 YD/T1591-2009

机构所在地：福建省厦门市 更多相关信息>>

深圳市洲明科技股份有限公司中心实验室

检测项：无负载输出电压 检测样品：灯的控制装置 标准：灯的控制装置　第1部分：一般要求和安全要求 GB 19510.1-2009, IEC 61347-1:2007 +A1:2010+A2:2012, EN 61347-1:2008 +A1:2011+A2:2013

检测项：光输出比 检测样品： 标准：

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

国网计量中心

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 检测样品：厂站采集终端 标准：《电磁兼容电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验》 GB/T 17626.11—2008

检测项：最大允许误差 检测样品：组合互感器 标准：电流互感器 GB 1208-2006 电力用电流互感器订货技术条件 DL/T 725-2000 电磁式电压互感器 GB 1207-2006 电力用电压互感器订货技术条件 DL/T 726-2000 组合互感器 GB

检测项：输出电压的纹波试验 检测样品：高压谐振试验装置 标准：电力设备专用测试仪器通用技术条件第6部分：高压谐振试验装置 DL/T 849.6-2004

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输出低电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：冲击试验 检测样品：电工电子产品 标准：GB/T2423.5-1995/IEC60068-2-27：1987《电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法,试验Ea和导则：冲击》

检测项：冲击试验 检测样品：电工电子产品 标准：GJB150.18A-2009《军用装备实验室环境试验方法 第18部分：冲击试验》

检测项：冲击试验 检测样品：电工电子产品 标准：GJB360B-2009《电子及电气元件试验方法》

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中兴通讯股份有限公司单板装联工艺实验中心

检测项：振动试验 检测样品：电工电子产品 标准：电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Fc：振动（正弦）GB/T 2423.10-2008

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>