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检测项:功能 检测样品:智能电能表 标准:多费率电能表 特殊要求 GB/T 15284-2002 多功能电能表通信协议DL/T 645-2007 0.2S级智能电能表技术规范 Q/GDW 357-2009 0.5S级智能电能表技术规范 Q/GD
机构所在地:青海省西宁市 更多相关信息>>
检测项:射频输出功率 检测样品:2.4GHz无线数据传输设备(电磁兼容) 标准:电磁兼容和频谱;宽带传输系统;运用宽频调制技术且工作在2.4G的数据传输终端 ;包括R&TTE 3.2节基本要求的EN协调标准 ETSI EN 300 328 V1.8.1 (2012-06)
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:输出电压 检测样品:充电器 标准:1、《移动通信终端电源适配器及充电/数据接口技术要求和测试方法》YD/T 1591-2009 2、《移动通信设备安全要求和试验方法》GB15842-1995 3、《家用和类似用途电器的安全 电池充电器的特殊要求》GB4706.18-2005 4、《电动汽车
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:管形荧光灯用交流电子镇流器 标准:灯的控制装置 第1部分 一般要求和安全要求 GB 19510.1-2009/IEC 61347-1:2007 灯的控制装置 第4部分 管形荧光灯用交流电子镇流器的特殊要求
机构所在地:福建省厦门市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:声音和电视广播接收机及有关设备 标准:声音和电视广播接收机及有关设备无线电干扰特性限值和测量方法 EN 55013: 2001+A1+A2
检测项:部分项目 检测样品:影音产品 标准:声音和电视广播接收机及有关设备无线电骚扰特性限值和测量方法 CISPR13:2001+A1 CISPR13:2006(EN 55013:2001+A1)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:输出低电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出高电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出低电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:射频测试/应用于25MHz至3GHz频率范围的无线麦克风 标准:电磁兼容和无线电频谱事务(ERM); 应用于25MHz至3GHz频率范围的无线麦克风; 第一部分:技术参数和测试方法 EN 300 422-1V1.4.2 (2011-08) 第二部分: 欧盟统一基本要求涵盖欧洲无线电/电信终端设备指令第3.2 章节 ET
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>