中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极 –发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极 –基极截止电流Icbo 检测样品：光电耦合器 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：集电极-发射极截止电流（ICEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极截止电流（ICBO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极截止电流（IEBO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：集电极-基极截止电流Icbo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：发射极-基极截止电流Iebo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：集电极－发射极暗电流或集电极－基极暗电流（适用时） ICBO 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：集电极－基极截止电流（反向电流）（ICBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：发射极－基极截止电流（反向电流）（IEBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

检测项：集电极-发射极电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分： 双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章1.2、 4.1、 5.1、 1.9.6、 1.10.2条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：反向截止电流 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法SJ2215.9-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>