北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流IR 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

检测项：反向截止电流ICEO 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T 6571-1995 《半导体器件分立器件和集成电路第2部分： 整流二极管》GB/T 4023-1997

检测项：反向电流IR 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：复位电流IR 检测样品：时基电路 标准：《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992 《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：IR: 反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICBO:集电极与基极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：1、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 2、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 3、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：反向电流IR 检测样品：发光二极管 标准：1、GB/T 18904.3－2002 半导体器件第12-3部分：光电子器件显示用发光二极管空白详细规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 3、SJ/T 11394-2009 半导体二极

检测项：反向电流IR 检测样品：发光二极管 标准：1、GB/T 18904.3－2002 半导体器件第12-3部分：光电子器件显示用发光二极管空白详细规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 3、SJ/T 11394-2009 半导体二极

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分： 整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：部分参数 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向漏电流（IR） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：反向栅源漏电流（IGSSR） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：反向截止电流（ICEO） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：电流传输比 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：反向截止电流 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

连云港市质量技术综合检验检测中心

检测项：III-V族杂质含量 检测样品：晶体硅 标准：《单晶硅Ⅲ－Ⅴ级杂质的低温FT－IR分析测试方法》 SEMI MF1630-1107

检测项：部分参数 检测样品：彩色涂层钢板及钢带 标准：彩色涂层钢板及钢带GB/T12754-2006

检测项：部分参数 检测样品：彩色涂层钢板及钢带 标准：彩色涂层钢板及钢带GB/T12754-2006

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向电流 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.4-1982

检测项：反向截止电流 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器（三极管）反向截止电流的测试方法SJ2215.9-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

上海市计量测试技术研究院（华东国家计量测试中心/中国上海测试中心）

检测项：部分项目 检测样品：LED 标准：LED测量 CIE 127：2007

检测项：部分项目 检测样品：LED 标准：LED测量 CIE 127：2007

检测项：*全部项目 检测样品：电流互感器 标准：电流互感器 GB 1208-2006

机构所在地：上海市 更多相关信息>>