中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：光耦合器 标准：1、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：发射极电流为零时的最高集电极－基极电压（VCBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：基极电流为零时的最高集电极－发射极电压（VCEO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：集电极电流为零时的最高发射极－基极电压（VEBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极击穿电压V(BR )EBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：基极-发射极 饱和电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：发射极-基极 击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：基极-发射极 饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 通用测试方法

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：基极-发射极饱和电压VBesat 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：基极-发射极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：光电 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>