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检测项:输出低电平电压 检测样品:数字集成电路 标准:GJB597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:半导体集成电路运算放大器 标准:SJ/T10738-96 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项:输出低电平电源电流 检测样品:半导体集成电路运算放大器 标准:SJ/T10738-96 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理
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检测项:输出低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
检测项:输出低电平电压 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
机构所在地:江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》
检测项:输出低电平电流IOL 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:模拟集成电路 标准:GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电压 检测样品:时基 电路 标准:半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条
检测项:低电平输出电流 检测样品:时基 电路 标准:半导体集成电路 时基电路 测试方法的基本原理GB/T14030-1992 第2.1、2.2、2.3、2.4、2.6、2.7、2.8条
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:运算 (电压)放大器 标准:半导体集成电路 运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996第2.1、2.3、2.5、2.6、2.7、2.8、2.11条
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项:输出低电平电流IOL 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:模拟/混合集成电路 标准:GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
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检测项:输出低电平电压Vol 检测样品:半导体集成电路(稳压器) 标准:1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
检测项:输出低电平VOL 检测样品:半导体集成电路(数字集成电路) 标准:1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第
检测项:栅源阈值电压VGS(th) 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:输出低电平 电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:输出低电平 电流 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:输出电压 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996
检测项:输出低电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:高到低电平输出的传输延迟时间 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:三态转低电平输出时间 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:栅-源阈值电压VGS(th) 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:部分参数 检测样品:电压调整器 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项:部分参数 检测样品:运算(电压)放大器 标准:半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:栅源阈值电压 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:栅源阈值电压 检测样品:二极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:输入阈值电压和滞后电压 检测样品:模拟集成电路 标准:GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压
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