中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：电压调整率 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

检测项：电流调整率 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

检测项：静态电流 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

广东省电子电器产品监督检验所

检测项：电耐久性 检测样品：发光二极管 标准：半导体分立和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

检测项：反向电流 检测样品：发光二极管 标准：半导体分立和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

检测项：稳态湿热 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：正向电流 检测样品：光耦 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003

检测项：跨导 检测样品：光耦 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003

检测项：击穿电压 检测样品：光耦 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法GB/T15651.3-2003

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：反向电流 检测样品：光耦合器 标准：（1）半导体分立器件和集成电路 第5－3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

检测项：反向电流 检测样品：光耦合器 标准：（1）半导体分立器件和集成电路 第5－3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

检测项：正向电压 检测样品：光耦合器 标准：（1）半导体分立器件和集成电路 第5－3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

检测项：基极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：初始频率温度精度 检测样品：元器件筛选 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方

检测项：密封性 检测样品：元器件筛选 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方

检测项：低温贮存 检测样品：元器件筛选 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

苏州广博力学环境实验室有限公司

检测项：温度 冲击 检测样品：电工电子产品、汽车产品与军用设备 标准：VW80000 3.5吨以下汽车电气和电子部件试验项目、试验条件和试验要求 9.5温度冲击试验 GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 1011.1热冲击 GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 方法107 温度冲击试验 G

检测项：温度 变化 检测样品：电工电子产品、汽车产品与军用设备 标准：JIS C 0025-1988 基本环境试验程序 第2部分：温度变化法 JESD22-A104C-2005 试验方法A104C 温度循环 GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 1010.1 温度循环 GJB128A-1997 半导体分立

机构所在地： 更多相关信息>>

杭州市质量技术监督检测院

检测项：部分参数 检测样品：半导体光电子器件 标准：《半导体器件 光电子器件分规范》GB/T12565-1990 《半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11400-2009 《半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11393-2009

检测项：部分参数 检测样品：半导体光电子器件 标准：《半导体器件 光电子器件分规范》GB/T12565-1990 《半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11400-2009 《半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范》 SJ/T11393-2009

机构所在地：浙江省杭州市 更多相关信息>>

惠州市蓝微电子有限公司实验室

检测项：-18℃放电性能 检测样品： 标准：

检测项：40℃放电性能 检测样品： 标准：

检测项：恒定湿热 检测样品： 标准：

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

天津三星电子有限公司规格认证中心

检测项：附录G 燃烧试验方法 检测样品： 标准：

检测项：爬电距离和电气间隙 检测样品： 标准：

检测项：耐久性试验 检测样品： 标准：

机构所在地：天津市 更多相关信息>>