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检测项：全项目 检测样品：集成电路(IC)卡读写机 标准：集成电路(IC)卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：静放电敏感度 检测样品：集成电路（IC）卡读写机 标准：集成电路（IC）卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000
检测项：电源瞬态敏感度 检测样品：集成电路（IC）卡读写机 标准：集成电路（IC）卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000
检测项：辐射和传导敏感度 检测样品：集成电路（IC）卡读写机 标准：集成电路（IC）卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：短路正向跨导gfs 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：外观和结构检查 检测样品：**集成电路（IC）卡读写机 标准：《集成电路（IC）卡读写机通用规范》GB/T18239-2000
检测项：功能 检测样品：**集成电路（IC）卡读写机 标准：《集成电路（IC）卡读写机通用规范》GB/T18239-2000
检测项：电源 检测样品：**集成电路（IC）卡读写机 标准：《集成电路（IC）卡读写机通用规范》GB/T18239-2000
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：功能测试 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996《半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理》
检测项：输入失调电流IIO 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996《半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理》
检测项：输入偏置电流IIB 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：SJ/T10735-1996《半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理》
检测项：全部参数 检测样品：集成电路(IC)卡读写机 标准：《集成电路（IC）卡读写机通用规范》GB/T18239-2000
机构所在地：山东省济南市 更多相关信息>>
检测项：部分项目 检测样品：混合集成电路外壳 标准：半导体集成电路外壳总规范 GJB1420A-1999
检测项： 检测样品： 标准：混合膜集成电路外壳总规范 GJB2440-1995
检测项：部分项目 检测样品：混合集成电路外壳 标准：混合膜集成电路外壳总规范 GJB2440-1995
机构所在地：安徽省蚌埠市 更多相关信息>>
检测项：全部参数 检测样品：厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 标准：厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T 14619-1993
检测项：全部参数 检测样品：薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 标准：薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T 14620-1993
检测项：全部参数 检测样品：微波集成电路用氧化铝陶瓷基片 标准：微波集成电路用氧化铝陶瓷基片 SJ/T 10243-1991
机构所在地：湖南省娄底市 更多相关信息>>
检测项：输入钳位电压 检测样品：TTL集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项：输出高电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：输入失调电压 检测样品：集成运放 电路 标准：半导体器件集成电路；第3部分：模拟集成电路 GB/T17940-2000
检测项：输入失调电流 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
检测项：输入偏置电流 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
