21世纪的今天，集成电路高度市场化，越来越多的元器件存在于我们生活各个领域，大到航空航天、军工汽车，小到生活各类消费品，例如手机、电脑、手表、电视等等，都离不开各类元器件的使用，元器件与我们的生活息息相关。同时元器件也带来了一定的风险，市面上出现的炸机现象也是屡见不鲜，汽车故障、电路板起火等大部分与器件的质量相关，因此，提前筛选出质量高，可靠性好的器件是各大厂商的迫切需求。

高温反向偏压试验（High TemperatureReverseBias）,简称HTRB。是分立器件可靠性最重要的一个试验项目，实验在高温条件下，模拟器件长时间工作状态中的耐受能力，以此可推算出实际应用中器件的寿命和应力大小。在器件量产或使用前按照实际应用场景模拟实验，提前摸清器件应力情况，可完全避免因应力、环境导致的失效及影响，是出厂器件必不可少的一项老化实验。

1实验目的

暴露器件跟时间、应力相关的缺陷，衡量当前器件是否满足规定的标准要求，排查出封装或晶圆本身的质量问题

2测试相关标准

可覆盖车规、工规及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相关标准要求；

3适应器件种类

可覆盖各种半导体分立器件（二极管、三极管、MOSFET 管 （增强型、耗尽型）、达林顿管、可控硅、IGBT）进行高温反偏试验，适用于各种封装。

4覆盖实验范围

覆盖实验温度：0℃~200℃  

可试验电压范围：0~2000V  

漏电流测量范围：0.001uA~50mA   

试验工位：整机可检测工位为16×80位/板=1280位