中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：正向电压 检测样品：电阻器 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章3条

检测项：正向电压 检测样品：耦合器 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章3条

检测项：正向电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：正向栅源漏电流 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：《半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》GB/T4023-1997 《半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T6571-1995

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：正向跨导gfs 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所质检中心

检测项：正向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：反向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

广东省电子电器产品监督检验所

检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

检测项：正向峰值电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

检测项：共发射极正向电流传输比静态值 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：正向电压VF 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向跨导Gfs 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：门极正向峰值功率/峰值电流/峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极触发电流/电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极不触发电压/电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VF-正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2(第二版 2000-03)

检测项：VFM: 正向峰值電壓 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 检测样品：电子电气设备 标准：GB/T 17626.11-2008 IEC 61000-4-11:2004 EN61000-4-11:2004 电磁兼容试验和测量技术 电压暂降,短时中断和电压变化的抗扰度试验

机构所在地： 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>