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检测项:放大倍数(hFEL) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市
检测项:栅-源击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:漏-源通态电阻 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:零栅压漏极电流 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
机构所在地:湖北省宜昌市
机构所在地:上海市