江森自控楼宇设备科技（无锡）有限公司测试中心

检测项：电压变化 检测样品：蒸汽压缩循环冷水机组 标准：蒸汽压缩循环冷水机组 ARI 550/590-2003

检测项：冷态绝缘电阻 检测样品：活塞式单级制冷压缩机 标准：活塞式单级制冷压缩机GB/T 10079-2001

检测项：冷态绝缘电阻 检测样品：活塞式单级制冷压缩机 标准：活塞式单级制冷压缩机GB/T 10079-2001

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

宁波三星电气股份有限公司检测实验室

检测项：电压变化影响 检测样品：多费率电能表 标准：多费率电能表 特殊要求 GB/T 15284-2002

检测项：电压变化影响 检测样品：预付费电能表（电子式） 标准：IC卡预付费售电系统 第3部分：预付费电度表 GB/T 18460.3-2001

检测项：电压变化影响 检测样品：多功能电能表 标准：多功能电能表 特殊要求 GB/T 17215.301-2007 交流电测量设备 通用要求、试验和试验条件第11部分:测量设备 GB/T 17215.211-2006

机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>

苏州苏勃检测技术服务有限公司

检测项：供电电压的瞬态变化 检测样品：道路车辆 电气及电子设备 标准：

检测项：供电电压的瞬态变化 检测样品：道路车辆 电气及电子设备 标准：

检测项：温度变化试验 检测样品：电工电子 产品 标准：只测： Na和Nb 温度：（-60～150）℃时，体积＜1000mm×1000mm×800mm

机构所在地：江苏省苏州市 更多相关信息>>

开封市水大流量计量科技有限公司

检测项：电源电压和频率复合变化影响 检测样品：电磁流量计 标准：《电磁流量计》JB/T 9248-1999

检测项：电源电压和频率变化影响 检测样品：容积式 流量计 标准：《容积式流量计通用技术条件》JB/T 9242-1999

检测项：电压和频率变化影响 检测样品：转子流量计 标准：《金属管浮子流量计》JB/T 6844-93 《玻璃转子流量计》JB/T 9255-1999

机构所在地：河南省开封市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

检测项：输出高阻态电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

通标标准技术服务有限公司青岛分公司

检测项：冷热冲击 检测样品：陶瓷和玻璃 标准：食品接触材料冷热冲击及冷热冲击耐久测试 EN 1183 :1997

检测项：硝态氮 检测样品：土壤 标准：森林土壤硝态氮的测定 LY/T 1230-1999

检测项：冷热冲击 检测样品：玻璃 标准：用作烛台的钠钙硅酸盐玻璃容器的标准规范 ASTM F 2179-02(2013)

机构所在地：山东省青岛市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-96 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-96 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

成都华川电装有限责任公司检测中心

检测项：部分项目 检测样品：汽车用交流发电机 标准：汽车用交流发电机技术条件 QC/T729-2005

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：漏源通态电压VDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：通态直流电压Vt 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：开路断态电流Ido 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京泰瑞特检测技术服务有限责任公司

检测项：天线端对射频感应电压的抗扰度 检测样品：声音和电视广播接收机及有关设备 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 IEC 61000-3-3: 2013 EN 61000-3-3: 2013

检测项：对射频感应电压的抗扰度 检测样品：声音和电视广播接收机及有关设备 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 IEC 61000-3-3: 2013 EN 61000-3-3: 2013

检测项：电压波动及闪烁 检测样品：声音和电视广播接收机及有关设备 标准：电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 IEC 61000-3-3: 2013 EN 61000-3-3: 2013

机构所在地：北京市 更多相关信息>>