北京振兴计量测试研究所

检测项：栅源短路时的漏极电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

检测项：反向电流 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：反向截止电流 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：反向电流IR 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：漏-源短路时， 栅极截止电流 栅极漏泄电流 IGSS 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：反向电流（IR） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：4016 反向漏电流 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

天津市产品质量监督检测技术研究院

检测项：电气间隙和爬电距离 检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器 标准：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO）第１部分：一般规则 GB16917.1-2003

检测项：载流部件及其连接接线端子 检测样品：用于交流的断路器 标准：电气附件 家用及类似场所用过电流保护断路器 第1部分:用于交流的断路器 GB 10963.1-2005 IEC60898-1:2002

检测项：电气间隙和爬电距离 检测样品：用于交流的断路器 标准：电气附件 家用及类似场所用过电流保护断路器 第1部分:用于交流的断路器 GB 10963.1-2005 IEC60898-1:2002

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

上海贝尔股份有限公司可靠性实验室

检测项：过电压试验 检测样品：通信产品(设备防护试验) 标准：安装在电信中心的电信设备承受过电压过电流的能力 ITU-T K20 (11/2011)

检测项：电力线感应 检测样品：通信产品(设备防护试验) 标准：安装在用户终端的电信设备承受过电压过电流的能力 ITU-T K21 (11/2011)

检测项：电力线感应 检测样品：通信产品(设备防护试验) 标准：电信设备承受过电压和过电流的能力试验－基本建议 ITU-T K44 (05/2012)

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：漏极电流IDSS 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023－1997 半导体器件分立器件　第3部分： 信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：反向重复峰值电流IRRM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向重复峰值电流IRRM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>