北京尊冠科技有限公司

检测项：漏-源短路时， 栅极截止电流 栅极漏泄电流 IGSS 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：漏电流 检测样品：电感器 标准：GB/T 8554—1998 《变压器和电感器测量方法及试验程序》

检测项：4016 反向漏电流 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：截止态源级漏电流 IS（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：漏电流Id 检测样品：电感器 标准：GB/T16512-1996 电子设备用固定电感器总规范

检测项：截止态漏级漏电流ID（off） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：漏电流 检测样品：固定电感器 标准：GB/T8554-1998 电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

北京市计量检测科学研究院

检测项：漏电电流 检测样品：漏电保护器测试仪 标准：漏电保护器安装和运行GB13955-2005

检测项：漏电电流 检测样品：漏电保护器测试仪 标准：漏电保护器安装和运行 GB13955-2005

检测项：泄漏电流 检测样品：环境试验 标准：电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T 2423.1-2008

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：漏电流 检测样品：电连接器 标准：GJB1217A-2009 电连接器试验方法

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：漏电流 检测样品：固定电感器 标准：GB/T8554-1998 电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

南京市建筑安装工程质量检测中心

检测项：泄漏电流 检测样品： 标准：

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

潍坊半导体照明产品检测中心

检测项：泄漏电流 检测样品： 标准：

检测项：基本电性能和电流谐波测量 检测样品：LED模块 标准：普通照明用LED模块测试方法 GB/T 24824-2009

检测项：反向电流 检测样品：灯和灯系统 标准：灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006

机构所在地：山东省潍坊市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：源极开路时，栅极截止电流IGDO 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏极开路时，栅极截止电流IGSO 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>