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检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法4011 、 方法4016
检测项：正向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：正向压降 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路
检测项：正向电压VF 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-2006 半导体器件分立器件和集成电路总规范
检测项：小信号短路正向跨导gfs 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：分立器件 筛选 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：正向电流 传输比hFE 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：输入箝位电压 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件
检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：继电器 标准：控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010
检测项：短时耐受电流和峰值耐受电流试验 检测样品：电子式电压互感器（传感器） 标准：互感器 第7部分: 电子式电压互感器 GB/T 20840.7-2007 互感器 第7部分: 电子式电压互感器 IEC 60044-7：1999
检测项：地电压引起的改变量 检测样品：高电压分压器测量系统 标准：高电压测试设备通用技术条件第1部分：高电压分压器测量系统 DL/T 846.1-2004
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管芯片 标准：LED 测量 CIE 127:2007
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管芯片 标准：半导体发光二极管芯片测试方法 SJ11399-2009
检测项：峰值发射波长、光谱带宽、光谱功率分布 检测样品：发光二极管 标准：半导体发光二极管测试方法 SJ11394-2009
检测项：正向电压（VF） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》
检测项：4011 正向电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》
检测项：正向直流电压（VF） 检测样品：信号（包括开关）和调整二级管 标准：GB/T 6571－1995《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二级管》
检测项：正向压降 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：二极管电特性测试 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项：吸合电压 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980
检测项：电压降测定 检测样品：民用直流接触器 标准：牵引电器基本试验方法ZBK63003—1988
机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>
