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检测项：正向阈值电压下的输入电流 检测样品：TTL电路 标准：半导体集成电路TTL电路 测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《高稳定薄膜固定电阻器总规范》 GJB 1929-1994
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《片式膜固定电阻器通用规范》 GJB 1432B-2009
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997
机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>
检测项：正向电压VF 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》
检测项：小信号短路正向跨导gfs 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997方法4011
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995半导体器件Ⅳ章1.2条
检测项：门极触发电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997
检测项：正向电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
检测项：输出脉冲峰值电压VOP 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994
检测项：正向电压VF 检测样品：微电路模块 标准：1、SJ 20668-1998 微电路模块总规范 2、SJ 20645-1997 微波电路放大器测试方法
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：1、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 . 2、GB/T 6571-1995 半导体器件分
机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》
检测项：正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管GB/T4023-1997
检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：（5）非线绕精密电位器总规范 GJB 1865-1994
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：半导体光电子器件分规范（可供认证用） GB 12565-1990
检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管GB/T 4023-1997
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97
检测项：峰峰值杂音电压 检测样品：通信用直流-直流模块电源 标准：电子组件的可接受性IPC-A-610E-2010
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
