中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：输入高电平电流IIH 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：输入失调电流IIO 检测样品：电压比较器 标准：GB/T 6798－1996《半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：电流传输比hF (ctr) 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：输入失调电流IIO 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范

检测项：电源电流Is 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

检测项：电源电流IDD 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003

检测项：电源电流 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 》

检测项：输入失调电流 检测样品：半导体集成电路电压比较器 标准：GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：电流传输比 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：50Hz～100kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 GJB151A-1997 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》GJB152A-1997 《军用空调设备通用规范》 GJB1913A-2006 《航天系统电磁兼容

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：输入高电平电流IIH 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T6798-1996《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》 GB3442-1986 《半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：阈值电流IT 检测样品：电压比较器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》SJ/T 10805-2000

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>