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检测项:电流传输比 检测样品:二极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项:截止态源极漏电流 检测样品:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准:半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比h21E 检测样品:三极管 标准:GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项:电流传输比CTR 检测样品:光电耦合器 标准:GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分: 光电子器件》 GB/T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB/T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
检测项:50Hz~100 kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品:军用设备和分系统 标准:(1)GJB151A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (2)GJB152A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 (3)GJB3590-1999《航天系统电磁兼容性要求
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:正向电流传输比HFE 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:部分参数 检测样品:电压调整器 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项:部分参数 检测样品:运算(电压)放大器 标准:半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:CS09壳体电流传导敏感度 检测样品:军用设备 标准:《军用设备和分系统电磁兼容发射和敏感度要求 》 GJB151-1986 MIL-STD-461B 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》GJB152-1986 M
检测项:CS109壳体电流传导敏感度 检测样品:军用设备 标准:《军用设备和分系统电磁兼容发射和敏感度要求》 GJB151A-1997 MIL-STD-461D 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》GJB152A-1997 MIL-S
检测项:传导骚扰电压 检测样品:信息技术设备 标准:《信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法 》 GB9254-2008
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:电流传输比 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:电流传输比(CTR) 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T 2693-2001
检测项:静态电源电流(IQ) 检测样品:半导体集成电路电压调整器 标准:半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996
检测项:电流调整率(SI) 检测样品:半导体集成电路电压调整器 标准:半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项:电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件
检测项:电压调整率SV 检测样品:电压调整器 标准:GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:共发射正向电流传输比 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:输入失调电流 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
检测项:输入偏置电流 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:电流传输比hF(ctr) 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
检测项:输出电压VO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:CS109 50Hz~100kHz壳体电流传导敏感度 检测样品:信息技术设备 标准:GB9254-2008 《信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法》
检测项:电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度 检测样品:电子电工产品、工业科学和医疗设备 标准:GB/T 17626.11-2008 《电磁兼容 试验和测量技术 电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验》
检测项:注入电流试验 检测样品:电磁屏蔽室、半电波暗室 标准:GB/T 12190-2006 《电磁屏蔽室屏蔽效能的测量方法》