中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：电流传输比 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

检测项：截止态源极漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理　GB/T14114-1993

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：电流传输比CTR 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：50Hz～100 kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：(1)GJB151A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 (2)GJB152A-1997《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 (3)GJB3590-1999《航天系统电磁兼容性要求

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：部分参数 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：部分参数 检测样品：运算（电压）放大器 标准：半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

海军电磁兼容研究检测中心

检测项：CS09壳体电流传导敏感度 检测样品：军用设备 标准：《军用设备和分系统电磁兼容发射和敏感度要求 》 GJB151-1986 MIL-STD-461B 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》GJB152-1986 M

检测项：CS109壳体电流传导敏感度 检测样品：军用设备 标准：《军用设备和分系统电磁兼容发射和敏感度要求》 GJB151A-1997 MIL-STD-461D 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》GJB152A-1997 MIL-S

检测项：传导骚扰电压 检测样品：信息技术设备 标准：《信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法 》 GB9254-2008

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：电流传输比 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：电流传输比 检测样品：晶体三极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：电流传输比（CTR） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：静态电源电流(IQ) 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

检测项：电流调整率（SI） 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

检测项：电流传输比 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件

检测项：电压调整率SV 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：共发射正向电流传输比 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：输入失调电流 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

检测项：输入偏置电流 检测样品：数字集成 电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000

机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：输出电压VO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>