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电位治疗设备产品描述:通常由主机、治疗毯(垫)、局部治疗头、踏板电极、地电极、治疗椅等组成。该类设备将人体全部或局部置于电场中,通过低于1000V的电压产生的电场进行治疗。 电位治疗设备预期用途:用于头疼、失眠、慢性便秘和软组织损伤引起的疼痛等病症的辅助治疗。 电位治疗设备品名举例:低电位治疗仪 电位治疗设备管理类别:Ⅱ 电位治疗设备相关标...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月22日
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成 电路 (CMOS) 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成 电路 (TTL) 标准:半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成 电路 (CMOS) 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:运算(电压)放大器 标准:半导体集成电路运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:DC/DC模块 标准:SJ20646-1997 混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:输出低阻态时低电平电流 检测样品:电压比较器、运算放大器 标准:《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路》GB/T17940-2000
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:CMOS集成电路 标准:《半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路》GB/T17574-1998 《半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理》SJ/T10741-2000
机构所在地:江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:微电子器件 标准:微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
检测项:输出低电平时电源电流 检测样品:电子产品、军用装备 标准:GB/T 2423.10-2008电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验 Fc:振动(正弦)
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:ECL电路 标准:SJ/T10737-1996《半导体集成电路ECL电路测试方法的基本原理》
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3020
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:电子元器件 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.14条
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:电子元器件 标准:微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3021
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>