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AEC-Q103-002微机电系统压力传感器器件应力测试标准

嘉峪检测网        2022-04-23 08:04

AEC-Q103-002的来源

 

对于车用芯片来说AEC-Q100是最常见的应力测试认证规范。不过随着科技的快速发展,汽车技术也在不断提升。自动化智能化的操作要求,汽车传感器的大量应用与不断更新,对汽车芯片的可靠性要求也越来越严格,迫切要求更专业更有效的质量验证方法标准。早期的MEMS微机电系统是依据AEC-Q100进行检测和验证,该车用芯片的测试标准已经不能满足MEMS快速更新换代的测试需求,AEC汽车电子委员会根据车载MEMS的特性制定出AEC-Q103-002标准,为车用MEMS提供了更专业的指导,对于MEMS做车规级认证也更具合理性。AEC-Q103-002的标准制定为车规传感器行业提供了更具针对性的要求,完善并且提高了对于车载传感器的测试标准。

 

MEMS压力传感器零件工作温度等级的定义

 

零部件工作温度等级在AEC-Q100标准中定义。适用于MEMS压力传感器设备的其他温度等级在表1中定义:

 

表1:附加MEMS压力传感器零件工作温度等级

等级

环境工作温度范围

0A

-40°C至+165°C

0B

-40°C至+175°C

 

 

适用AEC-Q100中定义的所有汽车等级;仅当环境工作温度范围超过AEC-Q100零级要求时,才需要上述等级。对于表1和AEC-Q100标准中的所有偏置测试,施加应力期间MEMS压力传感器设备的结温应等于或大于该热温等级。

 

MEMS压力传感器零件机械等级等级的定义

 

MEMS压力传感器的零件机械等级在表2中定义:

 

表2: MEMS压力传感器零件机械等级

等级

应用要求

M1

压力传感器-总则

M2

轮胎压力监测系统(TPMS)-安装在轮辋上

 

AEC-Q103-002验证流程

 

AEC-Q103-002微机电系统压力传感器器件应力测试标准

 

AEC-Q103-002标准针对的产品范围:MEMS压力传感器、MEMS麦克风、氧传感器、温度传感器、空气流量传感器、爆震传感器、速度传感器、转速传感器、ABS传感器、触发碰撞传感器、防护碰撞传感器、转矩传感器、液压传感器等。

 

MEMS的鉴定应符合AEC-Q100相关要求,AEC-Q103-002必须与AEC-Q100标准配合使用,针对MEMS压力传感器设备的鉴定测试序列见表3,表4所列为针对MEMS压力传感器设备失效机制更新的AEC-Q100测试。

 

并非所有AEC-Q100测试都适用于所有MEMS压力传感器设备。例如,作为机械冲击(MS,测试#G1)和变频振动(VFV,测试#G2)前预调节的恒定加速度(CA,测试#G3),只适用于TPMS装置。

 

表3: MEMS压力传感器专用鉴定试验方法

应力测试

缩写

试验方法

要求:

目标失效机制

样本量

批次

压力和高温工作寿命试验

PrHTOL

JESD22-A108

77

3

推晶或扩散缺陷、膜稳定性和离子污染表面电荷扩散、机械蠕变、膜疲劳、参数稳定性

脉冲偏压温度循环

B_PPrTC

JESD22- A104

77

3

引线键合、晶粒键合、凝胶曝气、包装失效、表面电荷扩散、凝胶体积变化、机械蠕变、膜疲劳、参数稳定性

压力和低温工作寿命试验

PrLTOL

MIL-STD-883 -   1005

77

1

推晶缺陷或扩散缺陷、机械蠕变、膜疲劳、参数稳定性

在存在二氧化硫的情况下的饱和大气中进行试验

CHS

DIN 50018

45

1

腐蚀、引线键合、引线、污染、凝胶体积变化、参数稳定性

腐蚀性气体环境

CAtm

EN   60068-2-60/方法4

10

1

凝胶溶胀度、凝胶体积变化、腐蚀、引线键合、引线、污染参数稳定性

耐化学性能

CR

ISO 16750-5

Var(5xchemical)

1

凝胶溶胀度、凝胶体积变化、腐蚀、引线键合、引线、污染参数稳定性

防爆压力

BPr

 

15

3

固晶膜片断裂、粘合剂或合体失效

保证耐压力

PPr

 

15

3

盐浸试验

SIT

MIL-STD-883 -   1002

15

1

包装失效、腐蚀、污染。

粉尘

DST

MIL-STD-202G-110A

15

1

粉尘污染

内部目视检查

IV

MIL-STD-883 -   2013

5

3

-

推晶试验

DIS

MIL-STD-883 -   2019

5

3

-

 

表4: MEMS压力传感器设备的AEC-Q100鉴定试验方法更新

测试组A-加速环境应力测试

应力

缩写

样本量

批数

试验方法

目标MEMS失效机制

偏压HAST或温度-湿度-偏压

HAST或THB

77

3

JEDEC 

JESD22-A110或JESD22-A101

从离子效应、水分进入、引线键合、包装失效、凝胶溶胀、参数稳定性转移。

无偏HAST或高压力釜或无偏温度-湿度

UHST或AC或TH

77

3

JEDEC  JESD22-A118或JESD22-A102或JESD22-A110

引线键合、包装失效、凝胶溶胀、参数稳定性。

更新测试组C - 包装组件完整性测试

应力

缩写

样本量

批数

试验方法

目标MEMS失效机制

键合引线剪切

WBS

每种键合(例如:MEMS晶粒与控制晶粒之间、控制晶粒与引线之间)的30个键合(至少来自5个器件)

AEC Q100-001

AEC  Q003

-

键合引线拉力

WBP

MIL-STD-883

方法2011

AEC  Q003

更新测试组G -空腔包装完整性测试

应力

缩写

样本量

批数

试验方法

目标MEMS失效机制

机械冲击

MS

39

3

JEDEC  JESD22-B110

膜片断裂、包装失效、晶粒和引线键合。

变频振动

VFV

39

3

JEDEC  JESD22-B103

恒定加速度

CA

39(78只适用于TPMS)

3

MIL-STD-883方法2001

 

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