中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：漏--源通态电阻RDSon 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：截止态漏级漏电流ID（off） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：漏－源通态电阻rDS(ON) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：截止态漏极漏电流 ID（Off） 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：通态漏极电流 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：反向漏过电流 检测样品：开关二极管 标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：稳压二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件 第3部分信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏极电流 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：零栅压漏极电流 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：静态漏-源通态电阻RDS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：功能 检测样品：模拟开关 标准：半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000；

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：栅-源短路时的漏极电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 》

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：漏-源通态电阻RDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源通态电阻RDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：漏-源短路时，栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>