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检测项：正向阈值电压下的输入电流 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项：正向压降 检测样品：开关二极管 标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管
机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997方法4011
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995半导体器件Ⅳ章1.2条
检测项：门极触发电压 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997
检测项：正向电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
检测项：电压调整率 检测样品：电压 调整器 标准：GB/T4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管GB/T4023-1997
检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：（5）非线绕精密电位器总规范 GJB 1865-1994
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：半导体光电子器件分规范（可供认证用） GB 12565-1990
检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管GB/T 4023-1997
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97 半导体器件分立器件 -第3部分信号（包括开关）和稳压二极管 IEC 60747-3-1985
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法4011 、 方法4016
检测项：正向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：正向压降 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：分立器件 筛选 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：正向电流 传输比hFE 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：输入箝位电压 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：继电器 标准：控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010
检测项：地电压引起的改变量 检测样品：高电压分压器测量系统 标准：高电压测试设备通用技术条件第1部分：高电压分压器测量系统 DL/T 846.1-2004
检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 检测样品：厂站采集终端 标准：《电磁兼容电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验》 GB/T 17626.11—2008
