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检测项:正向电压 检测样品:发光二极管芯片 标准:LED 测量 CIE 127:2007
检测项:正向电压 检测样品:发光二极管芯片 标准:半导体发光二极管芯片测试方法 SJ11399-2009
机构所在地:北京市
检测项:正向电压 检测样品:发光二极管 标准:半导体二极管测试方法 SJ/T 11394-2009
检测项:反向电压 检测样品:灯和灯系统 标准:灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006
机构所在地:山东省潍坊市
检测项:集电极-发射极反向击穿电压 检测样品:光电耦合器 标准:半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1~2215.14-1982
检测项:电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1~2215.14-1982
机构所在地:四川省成都市
检测项:输入二极管正向电压 检测样品:双极型晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994
检测项:正向栅源漏电流 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
机构所在地:江苏省扬州市
检测项:正向电压 检测样品:发光二极管(LED) 标准:SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》
检测项:反向电压 检测样品:发光二极管(LED) 标准:SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》
机构所在地:吉林省长春市