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羟值(Hydroxylvalue) 1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。 羟值 测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式 查看详情>>
羟值(Hydroxylvalue)
1g样品中的羟基所相当的氢氧化钾(KOH)的毫克数，以mg KOH／g表示。
羟值测试仪器：针入度电脑式、针入度数显式
收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日
检测项：漏－源击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：绝缘层击穿电压的试验 检测样品：绝缘手套 标准：GB 17622-2008 带电作业用绝缘手套通用技术条件
检测项：绝缘油击穿试验 检测样品：电力变压器 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006
检测项：绝缘油击穿试验 检测样品：电力电缆 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006
检测项：Cr 检测样品：钢铁及合金材料 标准：钢铁及合金铬含量的测定 可视滴定和电位滴定法 GB/T 223.11-2008
机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>
检测项：绝缘油 介电强度 检测样品：电力用煤 标准：绝缘油击穿电压测定法GB/T 507-2002
检测项：酸 值 检测样品：电力用油 标准：石油产品酸值测定法 GB/T 264-1983(2004)
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：直流击穿电压 检测样品：通信设备过电压保护用气体放电管 标准：通信设备过电压保护用气体放电管通用技术条件 GB/T 9043-2008
检测项：冲击击穿电压 检测样品：通信设备过电压保护用气体放电管 标准：通信设备过电压保护用气体放电管通用技术条件 GB/T 9043-2008
检测项：等电位连接 检测样品：信号网络浪涌保护器 标准：信号网络浪涌保护器技术要求和测试方法 YD/T 1542-2006
机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>
检测项：耐击穿电压强度试验 检测样品：汽车空调风机 标准：汽车空调风机技术条件 QC/T708-2004(2010)
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项：二氧化硅 检测样品：电力设备用油 标准：绝缘油 击穿电压测定法 GB/T 507-2002
检测项：绝缘油介电强度 检测样品：电力设备用油 标准：绝缘油 击穿电压测定法 GB/T 507-2002
检测项：磷酸酐 检测样品：电力设备用油 标准：绝缘油 击穿电压测定法 GB/T 507-2002
机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>
检测项：击穿报警功能 检查 检测样品：二次电压电流仪表 标准：GB/T 22264.1-2008 《安装式数字显示电测量仪表 第1部分：定义和通用要求》
检测项：振动幅值示值误差 检测样品：离心机 标准：GB/T 10901-2005 《离心机性能测试方法》
检测项：零值误差 检测样品：方形角尺 标准：JB/T 10027-2010 《方形角尺》
机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>
