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检测项：正向电压VF 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件
检测项：短路正向跨导gfs 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：正向电压VF 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》
检测项：正向阈值电压下的输入电流IT+ 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：SJ/T10741-2000《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》
检测项：共发射极正向电流传输比h21E 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管GB/T4023-1997
检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：（5）非线绕精密电位器总规范 GJB 1865-1994
检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：半导体光电子器件分规范（可供认证用） GB 12565-1990
检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管GB/T 4023-1997
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97 半导体器件分立器件 -第3部分信号（包括开关）和稳压二极管 IEC 60747-3-1985
机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法4011 、 方法4016
检测项：正向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：正向压降 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：输入正向阈值电压VIT+ 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路
检测项：正向电压VF 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-2006 半导体器件分立器件和集成电路总规范
检测项：小信号短路正向跨导gfs 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
检测项：正向电压 检测样品：分立器件 筛选 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：正向电流 传输比hFE 检测样品：二极管 标准：《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项：输入箝位电压 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>
