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检测项:正向电压 检测样品:二极管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97
检测项:正向电压 检测样品:二极管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97 半导体器件分立器件 -第3部分信号(包括开关)和稳压二极管 IEC 60747-3-1985
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:正向直流电压 检测样品:二极管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法4011 、 方法4016
检测项:正向栅源漏 电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:正向压降 检测样品:光耦合器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:输入正向阈值电压VIT+ 检测样品:数字集成电路 标准:GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路
检测项:正向电压VF 检测样品:晶体二极管 标准:GB4589.1-2006 半导体器件分立器件和集成电路总规范
检测项:小信号短路正向跨导gfs 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:正向电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:正向电压 检测样品:开关二极管 标准:半导体器件分立器件第3部分信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995
检测项:正向电压 检测样品:分立器件 筛选 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:正向电压 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:正向电流 传输比hFE 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:输入箝位电压 检测样品:模拟集成电路 标准:《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:正向电压VF 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
检测项:反向电流IR 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:正向电压 检测样品:继电器 标准:控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010
检测项:地电压引起的改变量 检测样品:高电压分压器测量系统 标准:高电压测试设备通用技术条件第1部分:高电压分压器测量系统 DL/T 846.1-2004
检测项:电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 检测样品:厂站采集终端 标准:《电磁兼容电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验》 GB/T 17626.11—2008
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:正向电压 检测样品:发光二极管芯片 标准:LED 测量 CIE 127:2007
检测项:正向电压 检测样品:发光二极管芯片 标准:半导体发光二极管芯片测试方法 SJ11399-2009
检测项:正向电压(VF) 检测样品:双极型晶 体管 标准:GB/T 4587-94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:4011 正向电压 检测样品:电子及电气元件 标准:GJB 360B-2009《电子及电气元件试验方法》
检测项:正向直流电压(VF) 检测样品:信号(包括开关)和调整二级管 标准:GB/T 6571-1995《半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二级管》
检测项:正向压降 检测样品:半导体 二极管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>