铜线与金线键合器件在IMC生长速率和界面的最终失效模式存在一些差异，Au-Al IMC的生长速率比Cu-Al IMC高10倍以上，导致铜线键合在高温下的键合失效原因为裂纹扩展，而金线为柯肯德尔空洞的聚集。

从微观结构来看，Cu-Al IMC的形态和分布与Au-Al IMC有很大不同。Cu-Al IMC通常会形成更厚且更复杂的化合物层，这可能导致界面的脆性增加。

在热循环过程中，由于Cu的热膨胀系数与芯片封装材料的差异，加上Cu-Al IMC本身的特性，会产生更大的热应力。这种热应力可能加速IMC 生长和裂纹的形成。在可靠性方面，由于Cu-Al IMC的特性，对长期使用中的温度和湿度等环境因素更为敏感，可能会提前出现键合失效等问题。