牙根管充填尖中X线阻射性的检测

检测项：X线阻射性 检测样品：牙根管充填尖 标准：牙根管充填尖 YY/T 0495-2009 4.6

检测机构：医疗器械检测研究院 更多相关信息>>

牙根管充填尖中X线阻射性的检测

检测项：X线阻射性 检测样品：牙根管充填尖 标准：牙科学 根管充填材料 ISO 6877:2021 4.5

检测机构：医药医疗器械检测中心 更多相关信息>>

晶体管中基极-发射极饱和电压VBEsat的检测

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994/IV5 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶管

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

牙科根管封闭材料中X射线阻射性的检测

检测项：X射线阻射性 检测样品：牙科根管封闭材料 标准：YY0717-2023 牙科根管封闭材料

检测机构：国家材料分析检测中心 更多相关信息>>

洁净工作台中引射作用的检测

检测项：引射作用 检测样品：洁净工作台 标准：洁净工作台 JG/T 292-2010

检测机构：环科院检测中心 更多相关信息>>

晶体三极管中基极--发射极饱和电压VBES的检测

检测项：基极--发射极饱和电压VBES 检测样品：晶体三极管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T4587-1995

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：射基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3026.1

检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011

检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3001.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压 检测样品：光学零件镀膜 减反射膜 标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法 反向击穿电压

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>