中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体器件分立器件 -第3部分信号（包括开关）和稳压二极管 IEC 60747-3-1985

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法

检测项：集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：集电极－基极截止电流（反向电流）（ICBO） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：4016 反向漏电流 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：截止态漏极漏电流 ID（Off） 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：反向漏过电流 检测样品：开关二极管 标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：稳压二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件 第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651.3-2003半导体器件分立器件第5部分光电子器件

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4016.4

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：集电极漏电流Icos 检测样品：模拟乘法器 标准：GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理

检测项：集电极漏电流Icos 检测样品：模拟乘法器 标准：GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：集电极--基极截止电流ICBO 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：零栅压时的漏极电流IDDS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

北京振兴计量测试研究所

检测项：截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

检测项：反向栅源漏电流 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>