西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：二极管电特性测试 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：直流过负载 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980

检测项：直流过负载 检测样品：继电器、接触器（含可靠性指标） 标准：含可靠性指标的电磁继电器总规范GJB1461-1992 电子及电气元件试验方法GJB360B-2009 军用设备环境实验方法湿热试验GJB150.9-1986

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

惠州科锐半导体照明有限公司光电实验室

检测项：反向电流(IR) 检测样品：发光二极管 (LED) 标准：半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 GB/T14862-1993

检测项：正向电流(IF) 检测样品：发光二极管 (LED) 标准：半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 GB/T14862-1993

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向截止电流ICEO 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流IR 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

潍坊半导体照明产品检测中心

检测项：反向电流 检测样品：灯和灯系统 标准：灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006

检测项：反向电压 检测样品：灯和灯系统 标准：灯和灯系统的光生物安全性 GB/T 20145-2006

检测项：泄漏电流 检测样品： 标准：

机构所在地：山东省潍坊市 更多相关信息>>

中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：反向电流 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管GB/T 4023-1997

检测项：反向电流 检测样品：光耦合器 标准：（1）半导体分立器件和集成电路 第5－3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

检测项：反向电流 检测样品：开关二极管 标准：半导体器件分立器件 第3部分： 信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：反向电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条

检测项：反向电流 检测样品：耦合器 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条

检测项：反向电流 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995　半导体器件分立器件第3部分 信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条 第Ⅳ章第2节2.1条 第Ⅳ章第2节2.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：反向电流 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范

检测项：反向电流 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003《电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范》

检测项：反向电压 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输入二极管反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：反向漏电流 检测样品：电阻器 标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：反向电压VR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：直流电流功能准确度 检测样品：数字多用表校准仪 标准：数字多用表校准仪通用技术条件BG/T15637-1995

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>