中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997方法4011

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995半导体器件Ⅳ章1.1条

检测项：反向漏电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995半导体器件Ⅳ章1.1条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T 6571-1995 《半导体器件分立器件和集成电路第2部分： 整流二极管》GB/T 4023-1997

检测项：反向电流IR 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：轴线的反向差值 检测样品：环境试验设备 标准：《电工电子产品环境试验设备基本检验方法　温度试验设备》GB/T 5170.2-2008

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所质检中心

检测项：反向电流 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：反向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：泄漏电流 检测样品：防静电工作区 标准：GJB3007A-2009《防静电工作区技术要求》、SJ/T 10694-2006《电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范》

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

广东省电子电器产品监督检验所

检测项：反向电流 检测样品：发光二极管 标准：半导体分立和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003

检测项：反向峰值电流 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

检测项：短路和过载保护 检测样品：隔离变压器、安全隔离变压器和开关型电源用变压器 标准：电力变压器、电源、电抗器和类似产品的安全 第1部分：通用要求和试验 GB 19212.1-2008 IEC 61558-1:2005+A1:2009 EN 61558-1:2005+A1:2009 电源电压为1100V及以下的变压器、电抗器、电源装置和类似

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：反向漏电流 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

检测项：电流调整率和电流稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T4377-1996

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：IR: 反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICBO:集电极与基极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：输入失调电流 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T 10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：反向峰值电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

检测项：反向漏过电流 检测样品：开关二极管 标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：稳压二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件 第3部分信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4016.4

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向截止电流 检测样品：晶振 标准：GJB1648A-2011 晶体振荡器通用规范 GJB2138-94 石英晶体元件总规范 GJB/Z45.1-93 军用压电器件系列型谱 石英晶体元件

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>