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T形含铜宫内节育器产品描述:通常由铜以及支架材料组成,支架材料一般由硅橡胶、尼龙、聚乙烯、聚丙烯、不锈钢或记忆合金材料制成。外形有圆形、T形、V形、γ形及链条状等。无菌提供。 T形含铜宫内节育器预期用途:用于放置于妇女子宫腔内起避孕作用。 T形含铜宫内节育器品名举例:T形含铜宫内节育器、O形含铜宫内节育器、V形含铜宫内节育器、宫腔形含铜宫内节育器、固定式含铜宫内节育器...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年06月27日
检测项:输入失调电压 检测样品:集成运放 电路 标准:半导体器件集成电路;第3部分:模拟集成电路 GB/T17940-2000
检测项:共模抑制比 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
检测项:输入高电平电压 检测样品:数字集成 电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/10741-2000
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:门极电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
检测项:门极电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
检测项:直流参数 检测样品:数字电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 半导体集成电路TTL测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996 半导体集成电路双极性随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:高温反偏 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:击穿电压 V(BR) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:交流电压电压频率积V.Hz 检测样品:数字多用表 标准:数字多用表通用技术条件 GB/T 13978—2008
检测项:绝缘电阻试验 检测样品:电子式水处理器 标准:电子式水处理器技术条件 HG/T 3133—2006
检测项:自由场和半空间自由场条件下的声压 检测样品:扬声器及扬声器系统 标准:声系统设备 第5部分:扬声器主要性能测试方法 GB/T 12060.5—2011
检测项:输出峰峰电压 检测样品:模拟集成电路 标准:《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项:基准电压 检测样品:模拟集成电路 标准:《半导体集成电路总规范》GJB597A-1996
检测项:电压调整率 检测样品:晶体 三极管 标准:《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T 4587-1994
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:III-V族杂质含量 检测样品:晶体硅 标准:《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》 GB/T 6616-2009
检测项:III-V族杂质含量 检测样品:晶体硅 标准:《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》 GB/T 24581-2009
检测项:III-V族杂质含量 检测样品:晶体硅 标准:《单晶硅Ⅲ-Ⅴ级杂质的低温FT-IR分析测试方法》 SEMI MF1630-1107
机构所在地:江苏省连云港市 更多相关信息>>
检测项:Si*, Mn*, P*, Fe*, Al* 检测样品:钒氮合金 标准:V2O5 杂质元素的测定 ICP-AES法 QJ/GY 4.087-2007
检测项:V*, Mn*, Al*, Si*, P* 检测样品:五氧化二钒 标准:钒铁 化学成分含量的测定 波长色散X射线荧光光谱法QJ/GY4.089-2007
检测项:Si*, Al*, Ca*, Mg*, Mn*, V*, Ti*, P* 检测样品:石灰石 白云石 标准:铁矿石XRF分析方法 JIS M 8205-2000
机构所在地:四川省攀枝花市 更多相关信息>>
检测项:铝、钒 铁、硅 检测样品:金属和 金属制品 标准:6Al-4V钛合金X-射线荧光光谱分析标准试验方法 ASTM E539-11
检测项:超声波检测 检测样品:锻钢件 标准:ASME第V卷(2010) 第5章 材料超声波检验方法
检测项:超声波检测 检测样品:焊缝 标准:ASME第V卷(2010)第4章 焊缝超声波检验方法
机构所在地:四川省德阳市 更多相关信息>>
检测项:V2O5 检测样品:非金属矿石 标准:YS/T575.12-2007《铝土矿石化学分析方法 第12部分:五氧化二钒含量的测定 苯甲酰苯胲光度法》
检测项:V2O5 检测样品:氧化铝 标准:GB/T6609.10-2004《氧化铝化学分析方法和物理性能测定方法苯甲酰苯基羟胺萃取光度法测定五氧化二钒含量》
检测项:钒(V)量 检测样品:铝及铝合金化学成分 标准:GB/T20975.13-2008《铝及铝合金化学分析方法 第13部分:钒含量的测定 苯甲酰苯胲分光光度法》
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:输出电压VO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:反向电流IR 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995
检测项:反向电压VR 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995