下面对压接工艺中影响电缆与接插件端子压接质量的主要因素(包括端子结构、压接方式、压接高度、压接长度)展开分析。

2023/12/04 更新 分类：科研开发 分享

本文主要介绍端子压接质量的技术要求、图示及试验方法，图文标准规范.

2024/09/02 更新 分类：科研开发 分享

本文主要研究冷压接对端子温升的影响。

2024/12/12 更新 分类：科研开发 分享

压接连接借助于有效的图纸要求执行。组件特殊的压接尺寸（压接高度和宽度等）根据不同的端子生产厂家及组件图纸中规定。预给定的压接尺寸精确。匹配加工的导线横截面和端子件应使用匹配的压接设备加工。 

2021/07/08 更新 分类：科研开发 分享

如果连接器是单个端子，那么降额曲线还是很容易做的。如果连接器是多位的，那么不同的加载密度以及不同的应用线规是有不同的温升结果，那样，不仅仅要做降额曲线，还要做不同加载密度和不同应用线规的电流系数表。

2022/04/25 更新 分类：科研开发 分享

VW60330标准是大众汽车集团内部标准，行业内比较权威的端子压接技术标准。

2022/11/20 更新 分类：法规标准 分享

国产元器件降额参数、降额等级与降额因子 元器件种类 降 额 参 数 降 额 等 级 Ⅰ Ⅱ Ⅲ 电源电压 0.70 0.80 0.80 输入电压 0.60 0.70 0.70 放大器 输出电流 0.70 0.80 0.80 功 率 0.70 0.75 0.80 最高结

2020/02/27 更新 分类：科研开发 分享

本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。

2023/05/13 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了电动汽车高压线束接触电阻（电压降）测试方法及标准。

2021/12/01 更新 分类：法规标准 分享

对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。

2023/05/07 更新 分类：科研开发 分享