半导体光电耦合器中反向击穿电压VR的检测

检测项：反向击穿电压VR 检测样品：半导体光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 5.4

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

模拟集成电路中复位电压VR的检测

检测项：复位电压VR 检测样品：模拟集成电路 标准：《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》 GB/T 14030-1994

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

天津出入境检验检疫局动植物与食品检测中心

检测项：大米中转基因成分 检测样品：转基因产品 标准：实时荧光PCR法检测转基因油菜品系 RT73 (CRLVL26/04VR)

机构所在地： 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：反向漏电流IR 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：复位电压VR 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T14029-1992 《半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：复位电压VR 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：复位电压VR 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

陕西千山航空电子有限责任公司检测中心

检测项：部分电参数 测试 检测样品：半导体分立器件 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97中方法3011、3407、4011、4016及产品手册

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：反向电压VR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：反向直流电压（VR） 检测样品：整流二级管 标准：GB/T 4023－1997《半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二级管》

检测项：最大反向直流电压（VR） 检测样品：信号（包括开关）和调整二级管 标准：GB/T 6571－1995《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二级管》

检测项：最大反向输入直流电压（VR） 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

长春富维-江森自控汽车饰件系统有限公司技术中心实验室

检测项：振动耐久 检测样品：座椅 标准：VR 620.1-2003振动耐久试验

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>