复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中谐波电流的检测

检测项：谐波电流 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.1-2012 电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：断态重复峰值电流IDRM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：断态重复峰值电流IDRM 检测样品：半导体分立器件外壳 标准：1、GJB 923A-2004 半导体分立器件外壳通用规范 2、SJ 20129-1992 金属镀覆层厚度测量方法 3、GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法

检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：断态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：断态电压临界上升率 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：断态重复/不重复峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：断态电流(ID) 检测样品：运算放大器 标准：GB/T17940-2000 《半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路》

检测项：输出高阻态电流IOZ 检测样品：模拟开关/多路器系列集成电路 标准：GB/T14028-92《半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理》

检测项：截止态漏极漏电流 ID（Off） 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：GB/T 17574－1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法 SJ 2215.2-1982

检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器 测试方法 SJ 2215.1～2215.14 -1982中的 SJ2215.2-82、 SJ2215.4-82 、SJ2215.5-82 、SJ2215.7-82、 SJ2215.8-82、 SJ2215.9-82 、SJ2215.10-8

检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：运算 (电压)放大器 标准：半导体集成电路 运算(电压)放大器 测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996第2.1、2.3、2.5、2.6、2.7、2.8、2.11条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：断态电流 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：开路断态电流Ido 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：短路断态电流Ids 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：漏源通态电阻RDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

广东产品质量监督检验研究院认证与测量工程部

检测项：电流 检测样品：器具耦合器分断容量和正常操作试验机 标准：插座分断容量和正常操作试验机检测规范

检测项：电流 检测样品：器具耦合器量规 标准：器具耦合器分断容量和正常操作试验机

检测项：质量 检测样品：电线荷重断芯试验装置 标准：CEST/CAL/GF082--2009电线荷重断芯试验装置检测规范

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>