本文通过采用热点分析和聚焦离子束-扫描电子显微镜（FIB-SEM）技术，提出了一种高效的检测手段，用以快速识别和分析沟槽MOSFET器件在电学性能和膜层结构上的失效。

2024/08/21 更新 分类：检测案例 分享

本文通过功率MOSFET管的工作特性，结合失效分析图片中不同的损坏形态，系统的分析过电流损坏和过电压损坏，同时，根据损坏位置不同，分析功率MOSFET管的失效是发生在开通的过程中，还是发生在关断的过程中，从而为设计工程师提供一些依据，来找到系统设计的一些问题，提高电子系统的可靠性。

2021/11/15 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了浪涌测试及其意义，国内外SiC MOSFET浪涌性能的研究现状及浪涌测试原理概述等。

2023/03/17 更新 分类：科研开发 分享

MOS管静态参数指标包含：漏-源击穿电压V(BR)DSS、开启电压VTH、漏-源饱和漏电流IDSS、栅-源驱动电流或反向电流IGSS、导通电阻RDS(on)、栅源击穿电压VGS。

2024/11/24 更新 分类：科研开发 分享

今天的芯片包含超过百亿个晶体管。本文主要回顾前几代晶体管的发展。包括晶体管发展历史、MOSFET器件概述、晶体管缩放的驱动力、传统缩放的创新等。

2021/03/15 更新 分类：科研开发 分享

本文通过重点分析一篇典型外文文献来说明SiC mosfet的体二极管的可靠性机理，这个讨论并不针对任何一家厂商的产品，仅仅是做技术上的讨论。

2023/02/22 更新 分类：科研开发 分享

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。

2023/04/02 更新 分类：科研开发 分享

意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。

2024/09/26 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了MOSFET的击穿有哪几种，如何处理mos管小电流发热严重情况，MOS管为什么可以防止电源反接及MOS管功率损耗测量。

2022/05/19 更新 分类：科研开发 分享

本文主要介绍这些方面的内容，专门聚焦于带有集成功率 MOSFET 和控制器的转换器解决方案，提供抑制 EMI 的实例和应用指导。

2023/03/21 更新 分类：科研开发 分享