MOS管静态参数指标包含：漏-源击穿电压V(BR)DSS、开启电压VTH、漏-源饱和漏电流IDSS、栅-源驱动电流或反向电流IGSS、导通电阻RDS(on)、栅源击穿电压VGS。

2024/11/24 更新 分类：科研开发 分享

今天的芯片包含超过百亿个晶体管。本文主要回顾前几代晶体管的发展。包括晶体管发展历史、MOSFET器件概述、晶体管缩放的驱动力、传统缩放的创新等。

2021/03/15 更新 分类：科研开发 分享

本文通过重点分析一篇典型外文文献来说明SiC mosfet的体二极管的可靠性机理，这个讨论并不针对任何一家厂商的产品，仅仅是做技术上的讨论。

2023/02/22 更新 分类：科研开发 分享

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。

2023/04/02 更新 分类：科研开发 分享

意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。

2024/09/26 更新 分类：科研开发 分享

本文介绍了MOSFET的击穿有哪几种，如何处理mos管小电流发热严重情况，MOS管为什么可以防止电源反接及MOS管功率损耗测量。

2022/05/19 更新 分类：科研开发 分享

本文主要介绍这些方面的内容，专门聚焦于带有集成功率 MOSFET 和控制器的转换器解决方案，提供抑制 EMI 的实例和应用指导。

2023/03/21 更新 分类：科研开发 分享

通过对经过SMT工艺试验的产品抽样进行超声扫描，发现产品载片区（PAD）与模塑料之间存在较为严重的离层现象

2024/02/23 更新 分类：检测案例 分享

逆变器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的选型对电磁兼容性（EMC）有显著影响。

2024/06/14 更新 分类：科研开发 分享

近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。

2022/11/30 更新 分类：科研开发 分享