通过对经过SMT工艺试验的产品抽样进行超声扫描，发现产品载片区（PAD）与模塑料之间存在较为严重的离层现象

2024/02/23 更新 分类：检测案例 分享

逆变器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的选型对电磁兼容性（EMC）有显著影响。

2024/06/14 更新 分类：科研开发 分享

MOS管根据应用场景不同，驱动电路的类型也较多，主要有IC直接驱动型、推挽输出电路增强驱动型、二极管加速关断驱动型、三极管加速关断驱动型、变压器加速关断驱动（隔离驱动）型。

2024/12/22 更新 分类：科研开发 分享

近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。

2022/11/30 更新 分类：科研开发 分享