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检测项:hFE:共发射接法时静态电流放大系数 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
检测项:谐波电流发射 检测样品:电子电气设备 标准:GB 17625.1-2012 EN 61000-3-2:2006+A2:2009 IEC61000-3-2:2005 +A1:2008+A2:2009 电磁兼容 限值 谐波电流发射限值 (设备每相输入电流≤16A)
检测项:IR: 反向电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
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检测项:静态电源电流(IQ) 检测样品:半导体集成电路电压调整器 标准:半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996
检测项:静态电流 (IQ) 检测样品:半导体集成电路电压调整器 标准:半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996
检测项:静态条件下的电源电流(ICC) 检测样品:半导体集成电路数字集成电路 标准:半导体器件 集成电路第2部分:数字集成电路 GB/T17574-1998
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:静态接触电阻 检测样品:电磁继电器 标准:GJB65B-1999有可靠性指标的电磁继电器总规范
检测项:静态漏-源通态电阻 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管
检测项:输入失调电流 检测样品:电压比较器 标准:SJ/T10805-2000半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比的静态值(h21E) 检测样品:场效应晶 体管 标准:GB/T 4586-94《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:静态条件下的电源电流ICC 检测样品:模拟开关/多路器系列集成电路 标准:GB/T14028-92《半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理》
检测项:静态条件下的电源电流ICC 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:GB/T 17574-1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:静态电源电流 检测样品:数字集成电路 标准:GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路
检测项:静态电源电流 检测样品:模拟集成电路 标准:GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压
检测项:静态漏—源通态电阻 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品:低频放大管壳额定的双极型晶体管 标准:低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T7577-1996
机构所在地:山东省济南市 更多相关信息>>
检测项:交流电流源技术性能检验 检测样品:继电保护测试仪 标准:《继电保护微机型试验装置技术条件》 DL/T 624-2010 《静态继电保护及安全自动装置通用技术条件》 DL 478-2010
检测项:交流电流源与交流电压源同步性检验 检测样品:继电保护测试仪 标准:《继电保护微机型试验装置技术条件》 DL/T 624-2010 《静态继电保护及安全自动装置通用技术条件》 DL 478-2010
检测项:接口功能及技术性能检测 检测样品:继电保护测试仪 标准:《继电保护微机型试验装置技术条件》 DL/T 624-2010 《静态继电保护及安全自动装置通用技术条件》 DL 478-2010
机构所在地:内蒙古自治区呼和浩特市 更多相关信息>>
检测项:共发射极正向电流传输比静态值 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:谐波电流 检测样品:额定电流不大于16A的设备 (单相设备) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012 IEC 61000-3-2 Ed 3.2 (2005) +A1:2008 +A2:2009 EN 61000-3-2:2006 +A1:2009+A2:2009
检测项:电快速瞬变脉冲群 检测样品:额定电流不大于16A的设备 (单相设备) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012 IEC 61000-3-2 Ed 3.2 (2005) +A1:2008 +A2:2009 EN 61000-3-2:2006 +A1:2009+A2:2009
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:静态电流ID 检测样品:半导体集成电路(数字集成电路) 标准:1.SJ/T 10741-2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半导体器件 集成电路 第
检测项:静态功耗PD 检测样品:半导体集成电路(稳压器) 标准:1.GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
检测项:静态功耗PD 检测样品:半导体集成电路(电压比较器) 标准:1.SJ/T10805-2000半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路
检测项:部分项目 检测样品:投光灯具 标准:投光灯具安全要求 GB 7000.7-2005 IEC 60598-2-5:1998 EN 60598-2-5:1998 AS/NZS 60598.2.5:2002
检测项:谐波电流 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2012
检测项:注入电流 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB 17625.1-2003 IEC 61000-3-2:2005+A1:2008+A2:2009 EN 61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009
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