陶瓷电容器耐压失效3种典型模式：

第1 种模式：电极边缘瓷片贯穿(击穿点在银面边缘位置)﹔

  A.可能原因:

    1. 粉末及其配制问题

    2. 素地边缘的致密性不佳

B. 失效模式在制程中的具体表现﹕

   1. 银面边缘位置针孔

   2. 银面边缘位置针孔﹐同时此位置部份陶瓷炸裂。

   3. 裂痕（先针孔后裂痕﹐素子表面有烧蚀碳化之小黑点﹐裂痕为新痕迹。

 C. 应对措施:

       信息及时反馈前段制程﹐要求其改善提升素地整体耐压水准

第2 种模式：瓷片延边导通或瓷片边缘破裂破损(击穿点在素子侧面)﹔

    A.可能原因:

        1. 素地表面有污点﹐如银﹑助焊剂﹑油质﹑焊锡渣等

        2. 涂料中有导电杂质

        3. 涂料中有气泡

        4. 涂料致密性不佳

        5. 涂料包封层固化不充分

    B. 失效模式在制程中的具体表现﹕

        1.跨弧

        2.崩边

        3.侧边炸裂

    C. 应对措施:

        1.素子外观（扩散﹑侧边沾银）管控﹔

        2.助焊剂液面控管适中﹐及瓷片浸入深度控管﹔

        3.及时彻底清理锡槽中的锡渣等杂质﹔

        4.涂料的绝缘品质证﹔

        5.涂料包封及固化工序质量保证。

第3 种模式：电极内瓷片贯通(击穿点在素子（银面）中心及其周边位置)。

 A.可能原因:

    1. 素地致密性极差

    2. 素地里面有裂痕﹑气泡﹑导电杂质等

 B. 失效模式在制程中的具体表现﹕

    1. 素子中心及其周边位置针孔

    2. 素子中心及其周边位置针孔。同时此位置部份陶瓷炸裂。

    3. 裂痕（先针孔后裂痕﹐素子表面有烧蚀碳化之小黑点﹐裂痕为新迹。）

 C. 应对措施:

     1.素子外观（扩散﹑侧边沾银）管控﹔

     2.助焊剂液面控管适中﹐及瓷片浸入深度控管﹔

     3.及时彻底清理锡槽中的锡渣等杂质﹔

     4.涂料的绝缘品质证﹔

     5.涂料包封及固化工序质量保证。

陶瓷电容器失效的七大原因：

1.潮湿对电参数恶化的影响

空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显着。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如，电容器的工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（H+）和氢氧根离子（OH-），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能使引线复原。 

2.银离子迁移的后果

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。

离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值显着上升。

由于正电极有效面积减小，电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使电容器的绝缘电阻大幅度下降。

综上所述，银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，后导致电容器击穿。

值得一提的是：银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象，比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多，原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。银电极与陶瓷介质一次烧结过程中，银参与了陶瓷介质表面的固相反应，渗入了瓷-银接触形成界面层。如果陶瓷介质不够致密，则水分渗入后，银离子迁移不仅可以在陶瓷介质表面发生，还可能穿透陶瓷介质层。多层叠片结构的缝隙较多，电极位置不易，介质表面的留边量小，叠片层两端涂覆外电极时银浆渗入缝隙，降低了介质表面的绝缘电阻，并使电极之间的路径缩短，银离子迁移时容易产生短路现象。

3.高温条件下陶瓷电容器击穿机理

半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显着降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

此外，以二氧化钛为主的陶瓷介质中，负荷条件下还可能产生二氧化钛的还原反应，使钛离子由四价变为三价。陶瓷介质的老化显着降低了电容器的介电强度，可能引起电容器击穿。因此，这种陶瓷电容器的电解击穿现象比不含二氧化钛的陶瓷介质电容器更加严重。

银离子迁移使电容器极间边缘电场发生严重畸变，又因高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜，使电容器边缘表面电晕放电电压显着下降，工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。边缘表面极间飞弧击穿的主要原因是，介质留边量较小，在潮湿环境中工作时的银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间，所以在耐压试验初期，失效模式以介质击穿为主，直到试验500h以后，只要失效模式才过度为边缘表面极间飞弧击穿。

4.电极材料的改进  

陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。

 又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象，即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后，大大减薄了介质的有效厚度，引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性，改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象，能促使瓷料烧结致密化，使得产品的性能和可靠性有较大提高，与原工艺和介质材料相比较，电容器的可靠性提高了1~2个数量级。

5.叠片陶瓷电容器的断裂

叠片陶瓷电容器常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的。由于叠片陶瓷电容器直接焊接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶瓷电容器来说，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的主要因素。

6.叠片陶瓷电容器的断裂分析

叠片陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏叠片陶瓷电容器。

叠片陶瓷电容器机械断裂的防止方法主要有：尽可能地减少电路板的弯曲，减小陶瓷贴片电容在电路板上的应力，减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。

如何减小叠片陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面另有叙述，这里不再赘述。减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力，可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓，如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装，如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决，也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。

7.叠片陶瓷电容器电极端头被熔淋

在波峰焊焊接叠片陶瓷电容器时可能会出现电极端头被焊锡熔掉了。其原因主要是波峰焊叠片陶瓷电容器接触高温焊锡的时间过长。现在在市场上的叠片陶瓷电容器分为适用于回流焊工艺的和适用于波峰焊工艺的，如果将适用于回流焊工艺的叠片陶瓷电容器用于波峰焊，很可能发生叠片陶瓷电容器电极端头的熔淋现象。关于不同焊接工艺下叠片陶瓷电容器电极端头可以承受的高温焊锡的时间特性，在后面的叠片陶瓷电容器的适用注意事项中有详尽叙述，这里不在赘述。

消除的办法很简单，就是在使用波峰焊工艺时，尽可能地使用符合波峰焊工艺的叠片陶瓷电容器；或者尽可能不采用波峰焊工艺。